MOS 管 的 “ro” 是怎么算的呢？因为很多地方都用到“ro”来算增益等等的参数~

饱和区 电压对电流求导?。我曾经是这么测的。

ro=1/lamda*id
lamda=1/VE*L
一般就是搞个趋势吧，具体估算值不晓得。

更加本质的指标，应该是a0 = gm * ro，这个是管子的本增增益，它只和L相关；你们尝试把所以ro换成a0/gm；

那这里边的a0是怎么得到的呢?

仿真，先进工艺，要用仿真来选取合适的本征参数；平方率只是给你一个直观的手段；

在cadence里，做出本征增益Vds 以及 L的曲线

小编意思是先根据仿真得到单个管子本征增益a0和VDS、L的关系么?

可是即使这样换算过来的话，r0=a0/gm，当要手算一下增益的时候，还是得再用这个乘以gm，那不白算了。

Ro的定义是dVo/dId

只能看定义！注意这是小信号分析
很多新人搞不清楚 大和小信号的分析

计算公式是这样的，但是在其他条件不明确的条件下估算Ro有难度吧~

嗯，问一下Ve是什么呢?

看ro的定义公式么?

是的，我记得在漏端电压接近VDD的时候R0会开始偏小7 8 倍，35工艺。我想这也是模型中不加入LAMDA这个参数的原因，因为太不准确

真的很感谢啦，分析的简单易懂，对这个ro有了更多的了解，再次感谢啦！嘿嘿。那能问一下，那个“.18umNMOS的VA'是5V/um”是在哪里得到的呢?

点赞~

哎呦，cadence仿真器，ADE L窗口 result Browser 打开仿真数据，dcopinfo 文件夹 可以直接看到期间的属性，包括ro cgg 等等

没有看到ro哎，只有ron，这是一个东西不

请问小编，本征增益要怎么写入calculator中呢，谢谢啦

rout和ron两个参数，一个是物理信息，一个是小信号信息。

好的，谢谢啦O(∩_∩)O~

学习了