NMOS导通后压降，疑惑！

本人用HSpice仿真如下的简单电路：

电阻R=1000，栅极电压Vd=5v,漏极电压Vd上升为3V后，MOS管导通，R1上电压只有1点几伏，难道大部分压降都落在了MOS管上，要知道R有1k啊，求大神解答啊！
附上我的波形图和源代码！

红色虚线为漏极电压，黄色实线为源级电压(即R上电压)

*test*
.option post=2
v1 1 0 pulse 0 3 5n 1n 1n 50n 1
v3 3 0 dc 5
mn1 1 3 2 0 nch l=1u w=16u
r1 2 0 1000
.model nch nmos level=1
.tran 1n 100n
.probe
.end

mos电流公试I=k(Vgs-Vt)^2电流本来就很小，在电阻压降1.2是很正常的。
另外mos的等效电阻本来就在10k左右。只是它的电阻与它的偏制相关。

谢谢你的回复！一般不是都说mos管得导通压降只有0.7V左右吗?
如果有几千欧的等效电阻，导通压降会只有这么小吗?

负载电阻大一点，就好了。

谁说MOS管的导通压降是0.7V啊?再说了，导通压降到底是指什么你都，没搞清楚。回去好好研究下MOS管的模型哈，研究透了，自然就懂了。

你采用的是什么工艺，如果不是deep nwell，你的电路衬底是有问题的。

MOS管的模型要参考那个书呀?谢啦

那到底是多少呀 管压降

NMOS传高电平有阈值损失

小编，导通电压0.7是指Vth阈值电压，栅极5V>>0.7V，管子是导通的，但是不代表这个MOS管没有电阻，
等效电阻~=1/uncoxW/L（Vgs-Vth），请你手算大约多少，我想应该会比1K的电阻大一点