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NMOS导通后压降,疑惑!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
本人用HSpice仿真如下的简单电路:

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电阻R=1000,栅极电压Vd=5v,漏极电压Vd上升为3V后,MOS管导通,R1上电压只有1点几伏,难道大部分压降都落在了MOS管上,要知道R有1k啊,求大神解答啊!
附上我的波形图和源代码!

红色虚线为漏极电压,黄色实线为源级电压(即R上电压)


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*test*
.option post=2
v1 1 0 pulse 0 3 5n 1n 1n 50n 1
v3 3 0 dc 5
mn1 1 3 2 0 nch l=1u w=16u
r1 2 0 1000
.model nch nmos level=1
.tran 1n 100n
.probe
.end

mos电流公试I=k(Vgs-Vt)^2电流本来就很小,在电阻压降1.2是很正常的。
另外mos的等效电阻本来就在10k左右。只是它的电阻与它的偏制相关。

谢谢你的回复!一般不是都说mos管得导通压降只有0.7V左右吗?
如果有几千欧的等效电阻,导通压降会只有这么小吗?

负载电阻大一点,就好了。

谁说MOS管的导通压降是0.7V啊?再说了,导通压降到底是指什么你都,没搞清楚。回去好好研究下MOS管的模型哈,研究透了,自然就懂了。

你采用的是什么工艺,如果不是deep nwell,你的电路衬底是有问题的。

MOS管的模型要参考那个书呀?谢啦

那到底是多少呀 管压降

NMOS传高电平有阈值损失

小编,导通电压0.7是指Vth阈值电压,栅极5V>>0.7V,管子是导通的,但是不代表这个MOS管没有电阻,
等效电阻~=1/uncoxW/L(Vgs-Vth),请你手算大约多少,我想应该会比1K的电阻大一点

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