请教下做EMMI的过程

1.假如一个输入为30V的芯片，输入电压为30V时候DC部分漏电，为10mA（正常为1mA），那么到fib做EMMI的时候，
测试人员是将芯片供电30V，然后拍照；还是直接剖开芯片拍照?

2.假如这个芯片输入30V的时候，DC供电正常，内部有一个500kHz的时钟，在时钟下降沿的瞬间会从寄生结漏个100mA的尖峰电流，
持续时间10个ns，请问这种情况EMMI也能分析出来吗，谢谢！

1.做EMMI当然要剖开芯片才能看到发光点。
2.10nS时间太短了，要持续一段时间。

多谢指点！或者可让芯片连续工作几天增加寄生结漏电流持续的时间，然后用EMMI分析出?

照 emi 一般分
obrich , emi , LCD
看不同漏電
而且 通長 x5 低倍可看到比較低的電流
至於你說 pulse current 一般是看平均電流
而且 如果你CHIP 本身工作會耗電全都會看到
還有 DIODE 類PN JUNCTION 都會看到, 但一般我們看其他點
比較麻煩是如果你電路某地方工作耗 10ma ..但你想看其他 1ma 會因為這 10ma 很亮
讓其它點不清楚
另外一般電壓慢慢加如果你 30v1ma
=> 10ma應該可以加到 < 30v 就會超過 1ma只是你電流如何一個點漏那會看
但是 如果 你電路很多點漏每點可能不到 0.1ma ..那就可能出現一堆點或是你分不出來..

您好，想请教两个问题：1）如果mos管的栅氧被击穿了，emmi能否照出发光点?
2）emmi照出的发光点就是损伤位置?还是说发光点和损伤处可能不在一个位置，而仅仅是发光点和损伤出存在电学连接（例如通过metal连接起来了）
谢谢！

gate oxide 會漏多大電流?一般要 ma 比較能在看 , 10ua 內不太好找,而且 一般都是先使用 x5 (低倍 但敏感度高)
x10 -> x20 (放高可以看比較小但是 要大漏電比較會照出來) .. 如果只有 ~ua 要看看
不過如果 gate lekage 量MOS 阻抗不能嗎?還有一個方式如ESD
因為 ESD 是損害DEVICE
你如果懷疑 gate leakage . 就一直給電壓 (小於 berakdown ) 因為已經損壞了
可能會越來越壞就看到
ESD 如果打壞 mos gate .有時照片或顯微鏡下就能看到了 .

少子器件电流，耗尽电流（包括饱和高阻区电流）应该可以看到
击穿电流要分析击穿类型
gate电流不一定（也可能电流密度大了也能看到）
阻性电流看不到

另外要算平均电流，100uA不小了

学习中