emmi分析

1、如果有100uA的电流流入正向导通pn结，在此管子上观察到hot spot，是否正常?如果该pn结击穿了，或者说P端和N端的pin短接了，即pn结上的压降基本上为零了，那仍然灌入100uA的电流，相当于电流源电流出来后，通过该短路的超低组管子流到了地，那在该管子上还能观察到hot spot吗?2、hot spot ，顾名思义为高发热点，如果管子的寄生pn结击穿了，阻抗就相当的低，那这里发热量岂不是很小，是不是就观察不到hot spot了?
现在在分析外灌电流的那个pin，和其他pin发生短路的情况。

我理解为emmi能照出来的都是反向击穿的pn结电流。

我也是这么理解的。
一般只有工作在反偏状态下的PN结(被击穿)和工作在饱和区的mos管的电流可以看到。
工作在线性区的管子，就算有大电流也看不到。

学习一下emmi分析

hot spot就是热效应，从I*I*R 公式入手，
所以由电流和 电阻共同决定。
分析时，同样大的电流，一定要看流过的电阻大小。

100u应该看不到热点吧

多谢，观察到hot spot了，原因是ISO管子没有做NW隔离，两个pin通过同型PW和P+AA高低结连接在了一起。即100uA电流流过高低结时，观察到了hot spot。根据可以得到以下推论，求辩论：这两个pin相邻很近，故外灌的100uA电流只通过了这两个pin，而此两个pin之间存在的为PW和P+AA高低结，阻抗很低，故猜测，只要有稍微大点的电流流过半导体，就能够观察到hot spot，若旁边都没有大电流流过的情况下，对比度就很明显了。

没听懂，有个剖面图就好了。

如果栅氧发生击穿，能看到发光点吗?谢谢！

这种情况没遇到过，不知道。我一直理解为是pn结之间的反向击穿。

哦，PN结击穿的话主要是发生在ESD保护管上吗?还是说内部电路也会存在，个人感觉发生在内部的概率会很小?反而对于数模混合芯片来说，数字电压域和模拟电压域的接口处的栅氧是个薄弱点，如果这个位置发生击穿的话，就你的了解，EMMI能不能照出来。谢谢指教。

如果做power，内部经常会有zener管，正常工作时通过EMMI就能看到pn结击穿，或者内部有高压器件错画为低压rule，也能通过EMMI看出来，但是目前SOC上很少出现上述情况，而你所说的栅氧因为耐压不够导致的击穿，我不是很确定EMMI分析能否看到，建议你咨询失效分析专业人士，他们对于EMMI成像的原理会更清楚。

非常感谢，另外分享一下我找到的资料：侦测的到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。
侦测不到亮点之情况：
不会出现亮点的故障 - Ohmic short及Metal short。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal。

里面有提到栅氧的损伤 ，但是栅氧损伤存在电子和空穴的复合吗?这个对我来说还不是很理解。特别是它还提到Mechanical damage，这个也不理解。继续扒点资料。

非常感谢，又涨见识了。

很好的资料哈。这种总结性的结论都是宝啊，非常感谢。栅氧击穿，栅和衬底/阱直接短在一起，当然有大电流，故而也自然能观察到hot spot吧。不一定是复合，有大电流流过，根据I2（平方）R可知，电阻小时，只要电流足够大也是能够观察到hot spot的。