有关gds求沟道调制参数的问题

在进行电路仿真设计之前要知道一些工艺参数，比如沟道调制参数。我是想通过gds=Ids*lamda。在估算的过程中，我想知道gds能不能直接用Ids/Vds。我这样计算出来的lamda为0.7~0.8这个数量级，感觉太大了。求大神指导，怎样在仿真中能够较好的估算出够到调制参数，我的仿真方法是根据allen书上来的。还有我用的是CSMC 0.5um工艺。

求指导啊，谢谢了

gds的定义是 gds=d(Ids)/d(Vds)=lambda*Ids, 条件是VGS偏置不变.
我觉得仿真时应该保持VGS偏置不变, 然后扫描Vds电压, 做出Ids-Vds的曲线, 然后计算曲线在饱和区的斜率即为gds.
从上图中看, 当扫描电流源电流时, MOS管的VGS电压也在变, 这样是计算gds可能不准确.

嗯。是的。我按你的方法仿真了下，算出来lamda对于Nmos大约是0.02,对于Pmos大约是0.08（CSMC 0.5um的工艺）