bandgap的瞬态仿真问题

电路如图，2个VCVS目前作理想运放使用，其中产生PTAT的那个VCVS我限制了最大输出电压；Vddl准备取代Vdd作为局部电压源，由于还没有设计完启动电路暂时搁在那里；现在有以下问题：
1.我做DC和AC仿真都没有问题，做瞬态仿真时，VDD如果是VDC直接加上去，停止时间设置为1us，就会有如下错误
，net76是MOS电容的栅极；但是如果停止时间设置到2us或者更大，就没有问题了.....
2.如果VDD是个斜坡电源（设置过5us和20us），根据时间设置不同，提示的错误也很多..但基本跟上面类似；
3.我试过最简单的带隙基准（就是最简单的电流镜，也没有用射级跟随器），用斜坡电源（5us）可以完成仿真；
启动电路暂时没有设计出来，不知道是不是因为启动电路的原因..本人努力自学中，但这些问题在教材上都没有（绝望ing..），还望大神们多多指教！

默默的顶一个....

看着好像是上电太快，mos管击穿了。

我改为Vpwl我改为100us，仿真200us，也有问题..最奇怪的是，如果我把Vpwl第一个点设为0s,5v，第二个点设为100us,5V，从波形来看跟Vdc 5V没区别，但是输出会在120us左右输出收敛，而Vdc作电源时只要60ns....脸上大写宋体加粗的懵逼两字....

再顶以下

帮你顶一下吧。

谢谢，再顶一下，虽然论文扯扯就可以过去，但是想弄清楚问题所在...