hspice瞬态仿真的问题

我想用瞬态仿真观察由晶体管寄生电容所造成的【启动延迟】，我没有用库，是自己设得模型参数，可是不论我如何设模型参数瞬态仿真出来的结果都是0延迟。我有写了个简单的反相器电路，可还是0延迟，应该怎样才能观察到寄生电容的影响?
*inv3
.OPTIONS LIST NODE POST
M1 OUT IN VCC VCC PCH W=20U L=1U
M2 OUT IN 0 0 NCH W=20U L=1U
VCC VCC 0 DC 5
C1 OUT 0 0.75P
VIN IN 0 PULSE 0.2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N
.MODEL NCH NMOS LEVEL=28 CJ=0.1P CISW=0.2P CGBO=0.2P CGSO=0.6P CGDO=0.8P
.MODEL PCH PMOS LEVEL=28 CJ=0.1P CISW=0.1P CGBO=0.3P CGSO=0.5P CGDO=0.8P
.TRAN 200P 20N
.END
是不是我的model或.OPTIONS设的不对?请赐教

我是做启动电路的仿真，应该是节点电压从零在几百纳秒内升到正常值启动电路才算成功，可我的瞬态仿真结果是在0s的时候节点电压就是正常值

我现在所有的节点电压都是从0一下子瞬间升到正常值，怎样才能让他有一个梯度?

我添加了IC和UIC,又改变了.tran的区间和增量，现在能观察到节点电压上升的过程了，。可是为什么我设置了寄生电容的参数后，延迟时间反而大大减少了这是为什么?寄生电容不是是电路越来越迟钝的吗?
*inv3
.OPTIONS LIST NODE POST
M1 OUT IN VCC VCC PCH W=20U L=1U IC=0,0,0
M2 OUT IN 0 0 NCH W=20U L=1U IC=0,0,0
VCC VCC 0 DC 2
C1 OUT 0 0.75P
VIN IN 0 PULSE 0.2 4.8 20N 1N 1N 50N 100N
.MODEL NCH NMOS LEVEL=28 CJ=0.1P CISW=0.2P CGBO=0.2P CGSO=0.6P CGDO=0.8P
.MODEL PCH PMOS LEVEL=28 CJ=0.1P CISW=0.2P CGBO=0.2P CGSO=0.6P CGDO=0.8P
.TRAN 0.001NS 100NS UIC
.END