cross couple charge pump衬底接法！
时间：10-02
整理：3721RD
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小编最近做charge pump项目，用的是cross couple结构， 关于衬底的接法很困惑，查阅了很多资料，怎么接的都有，下面展示一下各种文献上的方案，欢迎大家指点：
（小编工艺里面nmos，pmos都是隔离型的，DNW隔离，VIN=VDD=Vclk=0.7V，vthn=0.3V vthp=-0.25V）
方案一：nmos衬底接到里面，PMOS衬底也接到里面，工作原理很好理解，但是感觉不对劲，因为从整体看，VIn是最低电位，Vout是最高电位，所以两者衬底接法是不是应该反过来?
方案二：nmos pmos开关衬底都接到外面，从整体电位看是对的，但工作原理不明白。以nmos为例，Vclk1=VDD=0.7V，1节点也是VDD，VIN也是VDD，M2管GSB电位都为0.7V，如何导通?如果仅是衬底漏电的话，那只能漏到0.7V-Vpn，这样按说效率很低啊，pmos那边分析也是。但从仿真来看，这样方案的效率最高，多级级联对最后大电容充电速度最快。但是仿真很奇怪就是CLK信号还未产生之前，即输入Clk=0 此时1、2节点上便有600mV的电压，不理解。大家能否指点一二，关于衬底接法。
还有的文献里面是PMOS这边衬底接到vout,Nmos这边衬底接里面，总之怎样的接法都有，，真是困惑啊。
（小编工艺里面nmos，pmos都是隔离型的，DNW隔离，VIN=VDD=Vclk=0.7V，vthn=0.3V vthp=-0.25V）
方案一：nmos衬底接到里面，PMOS衬底也接到里面，工作原理很好理解，但是感觉不对劲，因为从整体看，VIn是最低电位，Vout是最高电位，所以两者衬底接法是不是应该反过来?
方案二：nmos pmos开关衬底都接到外面，从整体电位看是对的，但工作原理不明白。以nmos为例，Vclk1=VDD=0.7V，1节点也是VDD，VIN也是VDD，M2管GSB电位都为0.7V，如何导通?如果仅是衬底漏电的话，那只能漏到0.7V-Vpn，这样按说效率很低啊，pmos那边分析也是。但从仿真来看，这样方案的效率最高，多级级联对最后大电容充电速度最快。但是仿真很奇怪就是CLK信号还未产生之前，即输入Clk=0 此时1、2节点上便有600mV的电压，不理解。大家能否指点一二，关于衬底接法。
还有的文献里面是PMOS这边衬底接到vout,Nmos这边衬底接里面，总之怎样的接法都有，，真是困惑啊。
