求助Latch up 问题

有没有朋友遇到过数模混合芯片ESD测试 PASS，Latch up测试在抽电流时，数字I/O pin电流大于-200mA PASS，小于-300mA PASS，在 -200~-300mA时Fail有漏电现象。芯片重新上电又可以恢复到正常电流值，中间-200~-300mA大概电压-1.2~-1.3V，超过或小于这个电压时没有漏电。（测试条件，VDD给一个工作电压，GND接地，数字I/O Pin对地抽电流，测试I/O Pin监测VDD电流看是否有漏电现象）

有意思，latchup只能具体问题具体分析了，漏电区域有没有low density tap? guard ring如何layout的?..
希望能看到你的答案

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