如果让S有电流流向B是不是很容易引起latch up啊？

这个不好说，看触发电流引起流到衬底的电流大小，你的guard ring 吸收能力，附近有没有容易闩锁的结构。

几十nA不会引起latchup
但是为什么会有Isb呢

因为开关电容，然后一边电压一顶，把另一边顶到vss以下了。这是我意料之外的，所以来问一下

这个不光看电流，要看这个Vsb是否足以打开NPN,如果只是几十nA,应该还好。

谢谢！可是这个怎么评估呢?仿又仿不出来

你可以通过估算当有大信号时瞬间的电流多大，然后layout里面的parasitic resistance多大，从而可以算出大信号时，某点是否会因此冲很高，从而打开BJT的PN结.

这么小电流没问题的