在进行模拟设计时想得到一个小的电容值同时又希望容值相对准确怎么做

大家好！请问一下在做模拟设计时想要使用一个容值比较小的电容，如果直接将电容的面积做小的话，在Corner变化或是在tapout过程中有工艺偏差的话会造成电容的容值会有相对比较大的偏差，我想知道的是在这种情况下得到小电容是通过将大电容进行串联还是通过以一些其他的方式得到呢?由于之前很少用到电容串联的情况希望有点不敢用，希望大家指点一下，谢谢！

顶一个，大家顶起来啊

最近也碰到工艺提供的最小电容不够小的问题, 看了很作资料后发现一般都是自行按需求设计小电容, 通过电容串联的方式实现小电容倒是没有见过. 但是反过来想这个问题, 工艺的准确程度其实限制了设计里的最小电容值, 因此在允许的情况下我觉得还是尽可能用大一点的电容, 毕竟如果没有经验自己画的电容准不准还是个问号.

多小?

几百非法

据说有的工艺会有高精度电容，且单位容值会比较小。感觉串联起来，不是很靠谱，要是用MOS电容呢?或者自己对衬底建模，做M1 M2的电容呢?

几fF的都可以做啊，用metal，匹配还特别好，你看看SAR-ADC中的。

可以这样考虑，如果工艺允许用MOM电容，你把标准的MOM电容打散，然后把metal间的间距拉开，理论上来说，拉开一倍，容值就缩小一半，而mismatch的信息，仍然可以参考打散前的标准的MOM电容（因为实际上金属所占的面积并没有变）。我不太清楚你所采用的工艺，在比较先进的工艺下，实际上1fF电容也是可以做到的。当然提取寄生，最好不要用assura去提，会不太精确，可以考虑用电磁场的仿真软件EMX去提取。

不过电容串联也是一种方法，实际上串联电容中间那个浮空的极板可以拿掉，这样就等效于把metal的间距拉开。

如果是tsmc 28nm工艺直接用管子的cgs当电容吧.

是的，较先进的工艺制程提供的CRTMOM和CFMOM都是可以小到fF级的，只是Mismatch会升高。