NMOS放在N阱里电容值的变化？

积累 Cap

普通 NMOS Cap 是反型

通常的说法是此类电容值不随偏值电压的变化而改变,但是我还是想知道权威的解释

可以理解为阈值电压为负值的mos管电容随栅电压变化而变化，其特性相当于一般mos在反型区的特性。所以本质上讲叫积累或反型并没有根本区别。

其实PMOS放在N阱了也可以,
但是接触到了MOS电容,都是NMOS放在N阱了,
请问这两者的区别?

两者都可以用，PMOS放在N阱就是pmos管电容。NMOS在N阱叫NCAP，除非栅电容太低，一般情况下电容值变化不大；PMOS电容对栅电容会敏感得多。

但是我接触到了DB工艺,如果NPOLY电压低于阱电压,电容会变得比正常值低很多,大概四分之一,
这样感觉和PMOS放N阱了没区别,
既然没有区别,为什么还要把NPOLY放N阱呢,不直接将PMOS放在N阱了呢?这样电路设计也方便的.

电容会变得比正常值低很多,大概四分之一?！
只有四分之一?不会吧

恩 NMOS放在N阱里也这样

学习学习谢谢

如果在很宽的柵电压范围，所看到的电容值的范围两种情况下应该是一样的，唯一的差别是相同电容值出现在不同的柵电压位置，如果电路工作条件下，MOS始终在反型区（或累积区），两者差别不大，如果有些情况下一般MOS管电容不能确保在反型区，电容值可能会变得很多，这种情况下如果希望看到比较恒定的电容值，用NCAP可能电容值往往变化会小一些。换个角度，也可以认为，两种结构的主要差别是阈值电压不同。应该根据应用环境去选择合适结构。

你这种情况模拟版图艺术一书第六章里面讲了，我前天写了个关于mos cap的帖子，希望对你有用。
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=357864&highlight=mos%2B%B5%E7%C8%DD

Npoly/Nwell的下极板自然积累(Npoly和Nwell的功函数差）,Npoly上一个很小的正压即可看成W*L*Cox. Ppoly/Nwell电容需加正偏压才能反型. 如果Poly加负压，则倒过来了

我是来学习的