mom电容值的提取和测试

都睡了吗?为什么没反应啊?

继续顶啊，哪位大神有解决的办法吗?

看来是沉了

这有什么好说的呢
就用calibre extract parasitic cap呗，就是不太准而已

有专门测电容的电表..

多小的?
几ff 以下，精确测量的方法可以拿博士了

你仿照着库里的电容自己画一个，然后calibre一下，你会发现和库里的电容差数量级的~

几个fF到十几个fF。能给个思路也可以啊。只要测量出大体值就可以了。

用测电容的仪器来量。
要注意寄生电容。
你关心是绝对值还是相对值。绝对值你就并个N个，看总电容。相对值，就做个dac 或者adc 测DNL/INL好了

我抽过,没发现差这么多,呵呵

大神啊，怎么测量的?给个详细点的流程呗?我如果在一个器件的后面挂一个电容的话，LVS不过，如果原理图加上这个电容的话，提取出来的寄生根本不包括这个电容。你是怎么做的呢?

呵呵，这个不是挺容易的啊
首先做LVS/PEX肯定是要有电路和netlist的，要不都跑不起来
那么就用最简单的器件，比如电阻，版图上接在你画的MOM cap两头，这个cap是寄生，在电路中不需要
然后只extract C+CC就能看到两个电阻节点的CC，就是你的MOM cap了
不过有时候因为 extract rules肯定没有foundry提供的model精确，曾经抽出parasitic cap是model 3倍，哈哈

我最初也是这么干的，但是LVS的时候不过，提示说版图和原理图器件数目不符合啊。
然后，我尝试把MOM电容的标示层（MOMDMY，不知道是否真的只是简单的标示而没有任何物理意义），再跑PEX的时候，LVS能过了，但是提取出来的电容基本上扩大了6倍左右--->--->---->---->

你是怎么做到通过LVS验证的呢?

当然要把MOM cap flatten了，不所有CAD layer都删掉，只剩metal
作LVS 只把这些当作连线而不是device，sechmatic里面也不用画这个parasitic device，LVS 就会过
至于你extract出6倍，可能是用的rule的问题
tsmc的也会有问题，不能用LVS rule开 option，而要一个专门的pex rule
反正我试过好几个，结果不一样的

差6倍?差数量级?没这么夸张吧。以前经常用自己的mom电容，要这么不准，电路不知道跑哪里去了。

做的时候有两种方法。一是自己加标示层，把mom当标准器件提，这涉及自己写些rule，但是好处是电路不用改，foundry都这么做。另一种是把mom当寄生，但是lvs时需要屏蔽自己网表中的cap，做后仿同样。

自己写pex rule，根本不会，45度角仰视中。我用的是smic 65nm，伤不起啊。谢谢你耐心的指导。

明天回实验室尝试自己修改rule，但是有个问题，自己写rule的话，需要提前知道自己画的小电容的值吗?能给个流程或者您修改过的rule吗?感激不尽。我用的基本上就是您说的第二种方法，但是不知道是不是工艺的原因，提取出来的值就是很夸张。因为smic65nm工艺库里只给了mom电容，并且最小还是30fF，根本n不能用来做sar adc，所以尝试自己做小电容。希望您能帮忙指导一下如何写rule。

大神还在吗?

不要沉啊，大挽尊术

直接用Calibre提取，精度还是可以接受，一两倍的误差最多了。一般可以做到误差50%以内。

我自己没写过，是我们的layout工程师负责的。现在我不负责这块了，也没法给你找出layout是怎么改的。不过smic 65nm是直接支持mom的，只是他的rule是按照他的layout做的，你可以仿照他的rule试着修改一下。这样难度就小多了。另外如果这种方法，是需要事先抽取一个标准大小的layout，然后用面积去乘，和当寄生提取，应该是有差异的（没有考虑边缘效应）

也就是说还是需要知道修改后（自己画的）电容的大小，然后去修改rule。但是，calibre的提取误差太大了，在65nm工艺下面，偏离的太厉害了（除非是momdmy这层是有实际物理意义的），所以，无解。
Anyway, thanks very much for your help.

恩，130nm工艺的下面的mim电容值用calibre的提取确实蛮准的，你试试smic 65nm工艺下面的mom电容

这个用calibre是不行的，要用EM仿真器，比如ansoft

mim和mom的提取机制不一样，mim算本征器件，mom如果工艺厂不支持，只能当寄生提取。
不知道能否分享一下mom实际与提取的差异具体数据?因为除非工艺厂或者做RF的非常在意，会专门去做比较，做普通电路的很少会为这个去测试片上电容。

从原理上说，你说的工具好比器件物理里的medici，calibre好比仿真时的spice。calibre的底层算法应该就是根据场仿真器的结果进行分段拟合。所以有误差是必然的，关键是误差有多少。

我就是想用电容来作adc，所以才关心其匹配度的问题啊••••••

我也没有实际流片测试过，标准单元库里的最小mom30f，提取出来是200f的样子