关于电流镜的失配

看拉扎维中文版P381页的电流源镜像电流失配情况结论说明：
“为了使电流失配最小，必须使过驱动电压达到最大这是因为随着过驱动电压的增加，阈值电压的失配对器件电流的影响越来越小。”
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但是电流源一般来说电流是固定的，而书中得出此结论是默认宽长比不变的情况（宽长比的失配情况也不变）下得到的。
我的问题是如果要求电流不变，那么还可以得能得出书中的结论么?
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另外在实际的设计中是如何处理电流镜面积、过驱动电压、失配的问题的?

谢谢啦~

如果要求电流不变，结论恰恰相反，假设L不变，增加W会减小失陪，虽然过驱动电压减小

我觉得通常W,L的失配比阈值电压的失配小很多, 电流镜的失配主要有阈值电压失配占主导, 书上的结论在W/L变化时也大概成立;
保持电流不变, 阈值电压失配引起的电流失配只与L有关, 需要增大L.

把offset当成信号，被gm放大
offset与mosfet总面积平方根成反比
电流一定，gm越小，输出offset电流越小
电流一定，L不变，增加W，面积线性增加，gm也会增加一点，按照传统公式是sqrt(W)，所以总的offset变化不大。
但是现在深亚微米工艺都不是平方率公式，速度饱和效应明显，具体还是要仿真来确定

先前在
5V
0.5um下
w/L=2/1
or
2/5u 来说,
l=5u
simulation 电流
mismatch比较小
就是一路mirror过去很几次下单纯测试
currentaccuracy 时,
至于是否须要
l =15~25um?
不知道, 大家对longchannel device 在0.5um 模拟设计下是否会有model 不准问题
, 特别
L=20~25um

嗯如果完全按照平方率的话，应该和楼上公式推导说明的差不多 关键在L

但是实际中还需要仿真~

看来自己应该先推一推的真奇妙