急求TSMC0.25um工艺参数
时间:10-02
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设计并优化两级运算放大器参数:TSMC0.25um工艺参数计算,Tanner EDA仿真
W/L=2I/K'[VDD-Vin(最大)-VT(最大)-VT(最小)]^2
其中0.25um工艺库中VT是多少,以及VT的上下浮动,最大值和最小值,K',入为多少
W/L=2I/K'[VDD-Vin(最大)-VT(最大)-VT(最小)]^2
其中0.25um工艺库中VT是多少,以及VT的上下浮动,最大值和最小值,K',入为多少
可以试试拿一个固定W/L的MOS(比如2u/2u)在不同的corner下仿真直流工作点, 可以看其Vth值的最大(ss,low Temp)和最小(ff, high temp); 已知电流, 电压和W/L可以用长沟道的模型公式求解K';
更详细的方法可以参考Allen的CMOS Analog Circuit Design(2nd edition)的appendix B "CMOS device characterization"
好的,我仿真调整试一试,谢谢您