ESD保护

Back-to-back 的二极管是提供不同power domain 之间ESD 电流通道的。
至于Power 与ground 之间的一般称作power clamping. 是整个芯片ESD 中最重要的电路。一般是一个gate-ground 的NMOS. 功能除了当作power 对ground 间的ESD 保护外，同时也提供各个IO 在静电突波来时，除了IO自身的ESD保护电路外，另外的静电放电途径。

是不是可以理解为back-to-back二极管既可以用于电源之间，又可以用于地之间，然后IO口的ESD保护的话，也是需要单独设计的，和VDD到GND的还是不同的?

另外，还想请教一下为什么都不用SCR呢?

作Power/Ground之间的保护一般用GGNMOS和power Clamp这两种结构.小编可以多看看ESD整体架构方面的文献.

SCR 的器件参数在生产时很难控制在应用的范围内。特别是在CMOS的工艺上。因为，CMOS的工艺用的wafer 是(100) 的晶圆，很不利于SCR器件的参数控制。

最近也是刚接触，有一个地方不是很明白，在powerclamp结构中，有一个动态RC的ESD防护电路，这个电路对于正脉冲的ESD很好理解，可是我想问的是，ESD脉冲的话，应该是有正有负的，为什么在电路设计中不考虑负脉冲的影响呢?还是说负脉冲出现的概率比较低?

恩，想再咨询一下，为什么ESD的电压中，一般都是提的应该对于多大的正电压有效，为什么对于负电压没有一个限制要求呢?