带隙中电阻的几个问题

1.工艺文件中有类电阻是silicide resistors，例如silicide n+ diffusion resistance，还有类电阻是non-silicide resistors，例如non-silicide n+ diffusion resistance，这两种电阻有什么区别呢?
2.电阻的模型参数里的参数代表什么意思，例如
//******************************************************************
//*non-silicide HR poly resistance*
//******************************************************************
model rhrpo resistor
//+VC1 = 5.41E-05 VC2 = -5.33E-05
+nonlinform=r coeffs = [5.41E-05-5.33E-05]
//+JC1A = 9.43E-05 JC1B = -2.90E-09
//+JC2A = -2.82E-09 JC2B = -7.32E-14
+tc1 = -8.52E-04 tc2 = 1.98E-06 etch = -6E-09+ddw_rhrpo
+tnom = 25.0 rsh = 995+drsh_rhrpo
//+RINTC = 7.88 RINT0 = 3.96E-5 RINT1 = 0.00E+00
里面的tc1和tc2是否就是一阶和二阶温度系数呢?

顶顶更健康

求解答

没人知道吗

没研究过啊

Tc1 Tc2：
R(t) = R ×(1.0+TC1 × Dt+TC2 × Dt^2) 另VC1，VC2 ，是电压系数。这个在对应工艺的hspice model 可查。有时候也可能用别的参数如 PTC1等，具体看model里的等式。
diffusion resistor 是扩散电阻，一般不用，匹配差。一般用poly电阻。silicide 的电阻阻值较小。 non-的阻值较大。看需要选取。

实际应用中，一般选用的是p+diff电阻，HR 电阻占用面积小，但工艺制成电阻变化大；poly电阻单位面积电阻小，占用面积大。

怎么和楼上的说的不一样呢，他的意思是p+diff电阻匹配差，一般不用

特殊情况下，我见过用diffusion电阻的，在论文里见的，主要那个工艺poly是正温度系数，diffusion是负温度系数。

用non-silicide p+ resistor.
价格便宜量又足，我们一直都用它！

第一个silicide 就是向电阻注入啥啥啥使其方块电阻降低 ； non－silicide 就是不注入， 方块电阻就比较大就这点区别

准确的说不是注入，是形成硅化物。

如何形成硅化物
请教
工艺不是很懂

同意六楼。

网上应该搜得到。版图艺术这本书里也有。
CMOS工艺中有一种工艺步骤叫自对准硅化物(salicide)，就是干这个的，减小金属与半导体之间的电阻，更准确的说是将肖特基接触变为欧姆接触。

路过看看，回答很好。受教

13L准确，电阻P+随工艺变化较小，很多人喜欢用来做BG, 但面积功耗很难平衡，所以又有很多人选用HiRPoly

原来如此

一般工艺文档里含有这些信息。

silicide之后电阻率会降低