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用于PLL的1.2V低电压电荷泵采用什么结构比较好?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
如题,电源电压1.2V,MOS管VTH在0.5V左右,在低电压下,一些结构就很难实现了,比如抑制沟道调制共源共栅结构的电荷泵就很难实现,那么,什么样的电荷泵结构可以适用于低压,而且电流失配等非理想因素比较好? 有没有什么经验,或者一些资料多谢大家指导!

self bias

你用的是什么工艺?

Vth 0.4左右吧

低的可以到0.3V

55n

VTH0.5……

55nm, 为啥不试试ADPLL工艺呢?

还是得用cascode结构啊

我奇怪的是什么工艺?TSMC的 貌似没这么高

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