运放型bandgap的启动问题（低电压结构）

（1）如图所示，利用运放虚短虚断原理，可以求得带隙电压为：Vref=R2/R1 (Vbe+R1/R0 VTlnN)，在DC情况下，我将Vref调成500mV了（2）但是有一个关键问题，上电时发现电路无法启动（VDD先上电，PowerDown信号后上电），求这种带隙的启动电路推荐！


感激不尽

我尝试过opamp电流采用自偏置，而不是由带隙提供，这样的话op也要一个启动电路，带隙core也要一个启动电路。还是不能起来~

要两个启动电路的话，感觉启动有个先后顺序，还不如用图示结构，但目前没找到合适的启动电路，求指导~

自己顶一下

sansen 16章先过一遍吧。1640那张图就是

1640那个，是不是运放也加了启动，如果op没起来，即使反相输入端电压>同相，输出也没办法被拉低吧！

这种结构论坛里有分享的资料，大概思想就是通过上电时拉高M10 gate电压，导通M4

谢谢~我试试！

很有用。 谢谢。

做过一次sansen里边的那种结构，运放如果建立慢的话，启动电路关闭的时候运放还没建立完，三极管上方的管子是无法提供电流的，试了一下更改启动关闭的参考点，将PMOS的栅极与VB相连，如果运放没建立，PMOS栅极是高电位，启动电路不关闭，直到运放正常工作为止。PS:只知道启动电路在正常工作后应该彻底关闭，不知道还有其他什么要考虑的。

把M10的栅压拉高这种启动很有用的，我已经在全工艺角下可以启动了，而且挺快的。

运放 gain 很高 没有起动电路 bandgap 还是会动作 , 但是 流片是有 > 20% yield loss-> 前人设计失误 .
hspice 完全模拟都会动作 , 量产也会动.
但是流片大量 时发现出问题 .
你其实可以拿 vref去控制 NMOS ,
vref < vth 下 start up 动作
当 vref > Vth 关掉 start up . 不过某些情况下可能会 "ring" 就是 start-up circuit 开开关关 .