MOS管导通电阻测试

CP测试是针对电路级的测试，而单个器件的测试时属于器件级的测试，一般都是在WAT测试的时候做。WAT有专门的测试模块，叫PCM。里面会有各种器件的测试。
如果你的这个器件的尺寸在PCM中有的话，45mohm其实是一个很大的值了，一般WAT测试，串联上去的电阻也就几个欧姆而已。所以不影响你这个器件的Ron测试。
除非当你的器件电阻小于100ohm的时候，这时候估计就要通过特别设计的PCM来做了。一般是用kelvin四端法来测了。

大哥，mohm是毫欧好不?兆欧还叫导通?

m还是M，m的话，就用4端法
机台的测试环境会有ohm量级的电阻，并且电路内部的走线也会有电阻

哈哈，难道是我理解错误。
但是兆欧当然也是导通了。
你想，如果判断VT开启的条件是ID=1E-8A,vd=0.1V,Ron= 0.1/1E-8=1e+7=10兆欧。合理啊。
而你说的45毫欧，据我所知，从未听说有如此之小的电阻。就连各个器件的连接线的电阻，接触电阻等都比这个大得多。
假设vd=0.1V,Ron=45E-3 ohm,Id=0.1/45E-3 = 2 A,从未听闻这种IC器件。
很多做的很好的高压器件，都是尽量减小Ron了，但是也是有几欧姆的。
请教一下，谁见过这种MOS管，竟然有这么小的Ron.

居然这样还能长篇大论，那我只能呵呵了。

呵呵，
第一，谁告诉你VDS一定要等于0.1的?
第二，45mega还扯个锤子的接触电阻?你当fab里的人是傻子?
第三，2A的功率管见没见过是你的事情，和我有一毛钱关系?
第四，你懂不懂什么叫开关管?

对啊，这样回答不是挺好
你可以指出我哪里说错了，有什么管子是这样的。
你呵呵个什么劲?

这世道，连呵呵都不行了。

不错，又杠上了，我也呵呵

您老这叫恶意围观。

版图的时候contact和Via足够多，bonding线也够多，仅测MOS管导通直流电阻应该不难吧

难，需要在测试机台上面做特殊处理。目前比较可行的方案是用开尔文四线测试法。因为导通电阻太小了，你无法忽略很多寄生的东西。

CP可以测量的，用差值法较准确。（V1-V2）/(I1-I2)，因为电阻是纯线性器件，工作于深线性区的MOS相当于电阻。

淡定淡定，学习讨论

你说的是芯片上的一个小管子，他说的是市场上卖的mosfet。一个科研派，一个市场派，结果牛头不对马嘴，他的方法是对的，在mos的ft测试给vd=0.1（id=忘了）这样的条件。
你是学校的吧

发帖子的人不会来看，你俩倒是挺关心帖子的回复的，啊哈，热心！中国靠你们了！
从“不知道是不是真的。”这句来分析小编是个新手。

不知道你见没有见过Power Mosfet?45mohm已经不算是太小的阻值了。可以看看一些MOSFET的datasheet参考一下。
你说的应该是IC的器件，但是现在也有做到mohm级别的。