偶然看到一个MCU的RC OSC spec,不知1%是怎么实现的

一次校准之后，频率随V，T变化±1%还算好做吧

数字校准

整片wafer的dieRC 随温度变化1%都可以实现吗?

有人把振荡器用带隙基准的思路做，进行温度补偿，例如一个基准电流给电容充电。

可以啊，这东西本来就只受RC温漂影响，也就R温漂稍微大些。

补偿后的电流全wafer 下也会超过1%啊

那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗?一致性不好也会超出1%啊。

corner下电阻率变化主要与掺杂，厚度有关，加起来±30%，温漂只和掺杂有关，偏不了多大