请教下LNA中的ESD的问题！

做得好的ESD大概能在200f@2.4GHz左右。如果自己做不到更好的ESD，只能用foundry的，或者干脆不用。

ESDa big topic for IC design

你用什么ESD防护器件给LNA做防护?

用的是UMC 18 中的 二极管 来做ESD 现在很难估计里边的寄生电容 ，我们现在估计是600f 有可能这么大吗?

我们用的就是foundry的ESD，流完片之后基本测不出结果 ，做电路设计时是按照200f来设计的
如果不用的ESD的话会有什么影响吗?

你可以后提提出结点上的寄生电容，仿真仿出二极管的C-V特性，二极管反偏的时候电容可以做到200fF以下，正向偏置的时候电容是反偏的2倍左右。电路仿真时带上ESD应该不会出现流完片之后测不出结果的情况。
二极管的尺寸是多少?W，L，几个finger? 2.4G窄带的LNA完全可以用二极管来防护的。
不用ESD，你怎么做产品?
如果你怀疑是ESD的寄生电容导致电路不工作，建议你做FIB把ESD器件切断再测试

不是很明白，ESD对LNA的性能有这么大的影响吗?
ESD说白了就是在LNA的输入加入一定大小的电容。对S11和噪声系数的影响都可以通过匹配来解决。
请高手指教。
另外，一般foundary提供的ESD都是给低频用的，寄生电容比较大。
我们平常LNA用的ESD，都是自己修改的较小的ESD，测试能耐2kV。

这是我们ESD中二极管的版图

现在的问题是当ESD中电容比较大的时候，对电路的影响会显著增大

低频的大概在多少范围，我们是400M，电容能有多大

寄生电容对LNA性能的影响有理论推导的，公式比较复杂。总的来说，它对输入匹配，功率增益，噪声系数，IP3，线性度都会造成影响，也许对有些性能影响不大，设计仿真时带入ESD器件你就会发现。

我看diode的layout面积也不大，3umx10um, 2个finger。我感觉没问题
你先看电路的DC点是否正确吧，是否焊接的时候已经被ESD打坏了?
接下来再做FIB把ESD切掉再测试，没有ESD，焊接一定要注意，做好静电防护措施

给你一些tsmc的信息吧，
我们用的tsmc 65NM的IO，里面有各种用途的ESD/IO
PDB1AC100fF1kV HBMLNA
PDB2AC300fF2kV HBMLVDS
PDB3AC600fF2kV HBMADC/DAC
我们也看过IO里面的ESD 电路，analog IO都是diode device
digital IO可能会有GGNMOS之类的，但是MOS的IO寄生会很大的
RF的ESD肯定要用diode了，SCR不太敢用的，不能像在foundry，有具体工艺参数，能够反复尝试
还有，个人ESD diode尽量finger多一点，有时候周长比面积更管用哦，
很多diode ESD时靠侧边导电， current不走体内的
反正200fF的寄生应该说差不多吧，PAD及走线尽量用高层metal

等到封装完了，你就会发现，最大的寄生电容居然是bonding wire 引入的ESD的几百个p算个啥阿 :-)
这个时候你不得不增加 bonding wire的尺寸.....一眼难尽

finger多一点有什么好处?寄生电容是按周长算得吗?比如一个 100*80的二极管，周长缩小10倍 ，寄生电容会同比例缩小吗?

我不是说么，在同等面积下，周长大的diode肯定比周长小的diode ESD level高，
所以在同样的ESD要求下，周长大，面积就可以小一些，自然寄生也会小一些
bipolar的电流集边效应会挺明显的，diode应该也会有类似效应，所以建议还是finger多一些的为好
还有楼上有一位说的package是一个重要的问题，他说的bonding wire电容
其实bonging wire的寄生电容应该很小的，电感到不小
但是package的引脚会有很大寄生，根据不同的package是不同的
要高速寄生小，那么就要BGA或者QFN封装
QFP会便宜一些，但是寄生不小
DIP就更差了，寄生大大地

我们走的是MPW ，可以作FIB吗?

跟zhukh探讨一下这个问题。
我知道您说的理论，我也看过。但是我以为，这些理论和数学推导都是建立在单一匹配器件（串联电感）的基础上的。
而一般做产品时，为了满足一定频率范围内的S11，匹配器件都是3个，甚至更多。因此我觉得不存在很多教科书上所说的问题。

做FIB与MPW无关，你只要选一颗芯片，然后decap，就可以做FIB了。但是估计FIB后拿回来芯片就不能焊接到板子上了，必须用socket来测试。

只是讨论下，RF电路我不是专家
也许寄生电容大一点你可以做匹配把它吸收掉来满足input matching, 但是加的元器件越多，insertion loss也越大，insertion loss是直接加到整个系统的Noise Figure上面去的，总得trade-off, 可以这样分析吗?

Thanks for ESD .

Thanks for ESD.

一般片外做匹配用的电感和电容，Q都很大，寄生电阻很小，不会损失什么功率，因此insertion loss很小。
主要还是考虑集成度的考虑，片外器件不能太多。但是为了满足一定频率范围内的S11，工业上片外匹配器件一般都不止一个的。
我只是对ESD会造成LNA性能的影响这种说法比较疑惑。
我觉得在片外器件不止一个的情况下，尽管ESD引入的寄生电容，都可以匹配到想要的位置，因此我觉得对LNA性能的影响其实很小。
欢迎大家就此讨论！

ESD 的寄生电容会增加LNA对匹配网络的敏感性，并且增加匹配网络里的噪声

差不多一年前我写过一个文档，对带有ESD和不带ESD的LNA分别进行了仿真和性能比较，仅供参考.

500fF是可能的！

nice...

请问文档哪里下载?谢谢！

点击上面的“文档”两字，我做了链接的
http://www.khesd.cn/Diode_091118_Kehan.pdf