如何理解vod和vdsat

仿真工具在判断晶体管工作区时时比较vds与vod的大小，但是理论上与vdsat比较是最准确的。实际中vdsat与vod大小会有所不同，我们在设计电路过程中到底怎么理解vod与vdsat大小的不同?

这个应该考虑mos管工作在哪个工作区域吧。

vdsat是什么?

vod= vgs - vth 俗称过驱动电压
vdsat 是指沟道饱和电压。
由于二级和其他效应，沟道电流在vds 到达 vod 之前就饱和了

我的理解是这样：
当MOS管处于强反型时，它处于饱和区的vdsat=vod=VGS-VTH;当MOS管处于弱反型时，它处于饱和区的vdsat不等于vod=VGS-VTH，此时的Vod为负值，而vdsat为正值，而且vdsat会大于等于3VT,这里的VT是热电压26mv.

一般都是在中级反型区，此时VOD 和 VDSAT也不想等，这段怎么理解。弱反型和强反型情况很少遇见，因为不太会这么设计。

很常见VDSAT大于VOD

差不多大