Vds..Vdsat..Vod 在hspice 里的关系
时间:10-02
整理:3721RD
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仿真环境:hspice(incadence) ,运行平台:linux,仿真方式op 静态工作点仿真
如上图 里,VOD=Vgs-Vth,Vds 为实际测试到的漏源电压,Vdsat 应该为饱和Vds压降 、
对此比较迷糊的是 , Vds>Vod就能判断出MOS工作在 饱和区呢, 那Vdsat 是干嘛用的?
这几个的关系到底是在什么情况下来判断的?比如快速饱和导通(夹断)?
急求大神解决~
如上图 里,VOD=Vgs-Vth,Vds 为实际测试到的漏源电压,Vdsat 应该为饱和Vds压降 、
对此比较迷糊的是 , Vds>Vod就能判断出MOS工作在 饱和区呢, 那Vdsat 是干嘛用的?
这几个的关系到底是在什么情况下来判断的?比如快速饱和导通(夹断)?
急求大神解决~
vdsat是夹断点到s极的电压。
没有看到region信息。ov: overdrive voltage,vgs超过vth的部分。
vdsat诚如二楼所讲。
一般vds>vdsat才能判断饱和。
从小编图来看,管子region应该为1,线性。
器件工作在饱和区的 条件不是Vds>Vgs-Vth(Vod) 嘛?对这个Vdsat作用 迷糊,,
这个是 在cadence 里用 hspice 图形仿真的,,没有region 那一项 ,用sepctre的话会出现region 选项
换个思路。 Vds > Vdssat, 饱和区。
对于vod和vdssat我也迷糊,小编弄懂了吗?
感谢~