讨论：电路设计中的过驱动电压Vod的选择
个人觉得对于不同工艺Vod应该是不同的，在0.18um下大家都选择多少?选择的依据是什么?
输入管70~100mV左右，电流镜管200~300mV左右。
高了功耗大
低了就亚阈值区了，速度慢，bsim模型也不准。不过PSP模型可以。
输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据?
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电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大
输入管低，主要是考虑电压匹配
从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV！感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的?
帮顶，等待高人回答
根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计
在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则
50mV Vod, 管子就是在subthreshold, 低速还好，高速的话，管子的带宽太低了。
很怀疑他重写了这部分
不过我也没看过他的第二版
期待大家讨论！
期待中..........
应该不是亚阈值，是弱反型。
不知道亚阈值和弱反型有什么区别啊?
晕啊！
还真是概念没搞清楚呢。多谢了
不过是不是说弱反型更确切呢?耗尽也是亚阈值吧?
需要这么详细区分么?
vod 小的时候，管子都要很大。但是gm 增加并不多，所以速度降低
90nm 以下工艺变化很大，所以有时进入亚阈值区也不可避免，主要还是看对性能由没有影响
输入管低，是让它可能进到亚阈值区，这样Gm比较大，
电流镜管在200mv~250mv之间，这样电流匹配得好一点
看vdsat就好了。电流镜子大vdsat
取100mV可以了！
输入对管的过驱动电压主要由跨导和管子尺寸决定
sub-threshold: Vod<0
middle inversion:0<Vod<100mV
主要是从匹配考虑，不同区间，则β或Vth的mismatch为主要贡献
In razavi Page 27 ,we can see sub-threshold is Vgs close to Vth,maybe larger or smaller
额。在sansen书里说200mv还能用很多年 ，我也在怀疑，有高手没啊 ，做下解释
谢谢，学习很多
谢谢，学习很多啊
在低功耗设计中，输入管工作在亚阈值区间很正常
Psp更joke,你在nxp?
具有相同的疑惑
谢谢，学习很多啊