讨论：电路设计中的过驱动电压Vod的选择

输入管70~100mV左右，电流镜管200~300mV左右。
高了功耗大
低了就亚阈值区了，速度慢，bsim模型也不准。不过PSP模型可以。

输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据?

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电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大
输入管低，主要是考虑电压匹配

从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV！感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的?

帮顶，等待高人回答

根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计

在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则

50mV Vod, 管子就是在subthreshold, 低速还好，高速的话，管子的带宽太低了。
很怀疑他重写了这部分
不过我也没看过他的第二版

期待大家讨论！

期待中..........

应该不是亚阈值，是弱反型。

不知道亚阈值和弱反型有什么区别啊?
晕啊！

还真是概念没搞清楚呢。多谢了
不过是不是说弱反型更确切呢?耗尽也是亚阈值吧?

需要这么详细区分么?
vod 小的时候，管子都要很大。但是gm 增加并不多，所以速度降低

90nm 以下工艺变化很大，所以有时进入亚阈值区也不可避免，主要还是看对性能由没有影响

输入管低，是让它可能进到亚阈值区，这样Gm比较大，
电流镜管在200mv~250mv之间，这样电流匹配得好一点

看vdsat就好了。电流镜子大vdsat

取100mV可以了！

输入对管的过驱动电压主要由跨导和管子尺寸决定

sub-threshold: Vod<0
middle inversion:0<Vod<100mV

主要是从匹配考虑，不同区间，则β或Vth的mismatch为主要贡献

In razavi Page 27 ,we can see sub-threshold is Vgs close to Vth,maybe larger or smaller

额。在sansen书里说200mv还能用很多年 ，我也在怀疑，有高手没啊 ，做下解释

谢谢，学习很多

谢谢，学习很多啊

在低功耗设计中，输入管工作在亚阈值区间很正常

Psp更joke,你在nxp?

具有相同的疑惑

谢谢，学习很多啊