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串联两个nmos管导致压降太大应该怎样解决

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
第一可以修改结构,,这个方法试过几次改不出只串联一个nmos管的结构
第二个方法是改参数 , 听说改宽长比可以,具体怎么操作?
还有什么方法呢

1.一条支路上串联的两个NMOS管,可以合并成一个管子的;2.宽长比你不会改吗?
不知道你说的是什么电路,要干什么用的,你问的问题的有问题,回答起来我感觉自己的智商都瞬间低了。

沒電路圖可明確說明 到時候回答起來牛頭去對馬嘴

樓主下次問問題最好像教課書上一樣有圖片 並且標明symbol name這樣大家才不會說錯

上电路吧

增加第一个管子的宽长,相同电流下减小VGS,从而减小过驱动电压,达到减小进线性区最小的VDS电压,这样就能减小电压余度。
但从小编说明的情况来看,我估摸着小编是调偏置的问题。电压余度不是太低的VDD,一般没问题

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