反相器外面再接MOS管是什么作用

这个和反向器里面的NMOS管是同一个管

你反相器 的管子参数是什么?

就是增强下拉能力。

类似施密特触发器 参见拉贝

就是增强INV下拉而已。这里猜测INV是标准单元，这里外部增加管子相当于调整了 INV的尺寸了

这个应该不是schmitt trigger

光这三个管子肯定不行，应该还有其他管子。否则强制修改标准单元layout时候更麻烦，得不偿失，解释不通，肯定是为了调整阈值。

减小inv的下降沿transtion，和上面各位说增强下拉是一回事。

这个就是INV里面的NMOS同一个管子，GATE,DRAIN,SOURCE都接一样的，，，不是smt

你这个反想器里面几级?延时多大?反相器输出上面连接什么?图都没贴完怎么帮你?…

这是他的应用图，内部的反相器是标准的反相器单元，宽长比P管18/3.3，N管9/3.3

应该没说错

经过仿真，这个就是半边迟滞反相器，具有迟滞作用

感谢大家的回复，我仿真了一下，就是带有迟滞特性的，

I agree math123's reply.
mpig

迟滞?

没反馈哪来的迟滞?

不存在滞后现象。变频器的输入阈值越低仅此而已。这可能需要延迟调整，如果这种逆变器的输出选通与来自其他路径中其它信号。

同问?

给出仿真结果好吗?

增强下拉，可能是后续电路对低电平的要求有特别的的要求，建议分析一下后续电路，特别是低电平的情况