P衬底N阱工艺的nmos源级与体端短接，体端不接衬底，风险大吗？

不知道你想问什么

去工艺吧，这么问，有点?！

如果不是双阱工艺，你这样做是过不了LVS的。P衬底N阱工艺所有nmos共用一个衬底，LVS报告会告诉你，你的nmos衬底应该接到GND上。

iso nmos 可以

不過其實你可以接但是要改DRC LVS command file

如果不是深阱工艺，不能这么做。外面加一圈Nwell环或许能通过LVS，但只能在表层隔离，不是真正的隔离。

小编莫非是指 NMOS 差分输入对管 的 B 和 S 连接起来?
没有 deep-nwell 层做不到吧。

如果深阱工艺，你有没有试过流片成功啊?

深阱工艺中，这就是非常常规的一种接法了。大伙都这么做：）建议搜一下深阱工艺的视图，你就明白为什么这种接法没问题了。

这个还是很好理解的，说简单一点就是N管也可以实现与sub隔离。我想问一下，如何确定所用的工艺是否为深井工艺，在工艺文件中哪里去找?