求助 PMOS管的gds与沟长的关系

图a和图b是基本的差分放大器，只是PMOS负载管的沟长不同（宽长比相同），两图中PMOS流过相同大小的电流，可仿真结果中a图PM1的gds是235nS, b图中PM1的gds是17nS, 这与gds约等于沟长调制系数乘以Ids的理论相差甚远，请各位指导一下，非常感谢！

沟长调制系数并不是一个固定值。这个在一级模型里是固定值，但在更实际的情况（比如BSIM4）里头就是L大了就小了，也不是线性。你仿ids对vds曲线时，观察一下斜率，ids斜率越小说明lambda越小。

应该说，当L大到一定程度后，lambda的变化就不大了，这时基本就可以用一级模型了。L=1还是太小。

谢谢，看了下L=2和L=4是gds比例关系，且Ids 与 Vds 关系曲线的斜率与gds是相符的。请问一般有没有什么经验数据，沟长是特征尺寸的多少倍后沟长调制效应不明显?

考虑面积的L=2u，不考虑的尽量4u以上，4u以上面积耗费比较大，基本只做倒比管。又或者你注重低offset低噪声时，还可以进一步放大。

我的应用其实不希望PMOS输出电阻太高（增益要求不高），以使系统中这点的极点频率高一些（因为已经存在一个几十赫兹的主极点），如果使用L=1u，利用其低输出电阻，相位裕度好很多，从30度到了60多度，虽然这样的沟长调制效应明显，仿真全面地话，这样的尺寸有什么风险或潜在问题嘛?

风险就是这块区域的失配会相对大点。管子面积小失配大，W做大工作区域又变了同样不好。有时电流就决定了特性。

3ku。

@chenkai_kk ,,,,按照你说的 做做实验。