nmos比pmos噪声大100倍
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
根据bsim3V3模型定义
1/f噪声:FNOISE=Kf (Ids^Af) / (Cox (Leff^2) (f^Ef))
自己设计的电路
Ids=10uA,L=6um
将库文件里提供的Kf、Af和Ef代入后算得
在1KHz处
FNnmos=1.4E-22 V^2/Hz
FNpmos=1.74E-26 V^2/Hz
折算成噪声电压的话,
nmos比pmos大100倍
运放电路仿真的结果也显示噪声基本都是来源于nmos电流镜管,pmos输入对管和pmos电流镜管对噪声贡献可忽略
nmos比pmos大100倍
各位前辈和同学,有没有遇到这种情况?
库文件提供的参数准确吗?这种结果可靠吗?
1/f噪声:FNOISE=Kf (Ids^Af) / (Cox (Leff^2) (f^Ef))
自己设计的电路
Ids=10uA,L=6um
将库文件里提供的Kf、Af和Ef代入后算得
在1KHz处
FNnmos=1.4E-22 V^2/Hz
FNpmos=1.74E-26 V^2/Hz
折算成噪声电压的话,
nmos比pmos大100倍
运放电路仿真的结果也显示噪声基本都是来源于nmos电流镜管,pmos输入对管和pmos电流镜管对噪声贡献可忽略
nmos比pmos大100倍
各位前辈和同学,有没有遇到这种情况?
库文件提供的参数准确吗?这种结果可靠吗?
比例稍微大了一点,基本正常
device model中的参数应该有一定依据吧,低频的应该还是比较准的吧
foundry自己做完device后会做参数提取,
flick noisenmos是pmos的100倍,这道没想到
原来只以为是好几倍数十倍而已
BTW:什么工艺啊?与process也有关系,如果wafer 表面损伤小,晶格完整,1/f noise也会小一些
pmos buried channel 果然不是盖的
不过这只是低频noise,到高频以后,thermal noise占主导后,nmos应该会好一点吧
是0.5um Mixed Signal工艺
没有提供Ids和Leff 的典型值
仿真文件里只给出了这三个参数值
是很奇怪啊,没有想到差这么多
热噪声和1/f噪声
300KHz是拐点
it depends on process.
BTW, In reality it's hard to find the difference of flicker noise of p and n for most of applications.
没研究过
热噪声只能跨导相关,偏置相同的情况下,p/n应该是一样的。
热噪声只能跨导相关,偏置相同的情况下,p/n应该是一样的。
相同的bias current, nmos的 gm肯定大么,所以thermal noise会小的