关于版图设计时的一些疑问
以下是版图中四个层次的描述，本人是初学者，不大清楚如何通过这四层去定义n，p管有源区?AA和SP,SN的关系?以以及在做井接触和衬底接触时到底用那一层?哪位热心人能否指点一下,,有没有版图可以发给我看看?谢谢！
AA: Active Area
AR :Reverse Active Area
SP + implant
SN :N+ implant
关于版图设计时的一些疑问
AA指的是你画的版图的有源区;
AR是你画版图的时可能用不到的一层,一般会自动生成的;
SP是把你画的一个MOS画出来表明你画的管子是PMOS;
SN是把你画的一个MOS画出来表明你画的管子是NMOS;
关于版图设计时的一些疑问
谢谢你的回帖，还是有点不大清楚，是不是管子的有源区是同时有AA,SP(SN)同时定义的?SP(SN)是不是一定要在AA的外围一周?那么井接触和衬底接触该怎么定义?同管子的有源区一样定义?还是仅仅只要用到SP,SN?
关于版图设计时的一些疑问
AA+SP are used for substrate of NMOS transistor
AA+SN are used for n-well;
关于版图设计时的一些疑问
AA听起来好象是OD，不知道什么地方叫AA?
关于版图设计时的一些疑问
AA和TSMC的OD应该就是一个东西。
关于版图设计时的一些疑问
不对吧！
AA+SP是P管的源漏区 ，AA+SN 是N管的源漏区。
关于版图设计时的一些疑问
Here AA+SP,AA+SN are used for substrate connection, not for diffusions connection of transistors.
Btw,I agree the upper opinion: AA of SMIC is the same as OD of TSMC.
版图中AA表示有源区,也就是要做MOS管的源漏区的地方,MOS管分NMOS和PMOS,所以如果你在有源区注入N型掺杂就会形成N管,注入P型就为P管,有源区(也称oxide OD)单独是构不成管子的,只是用来确定工艺中注入的区域的^_^
AA就是OD,不同的叫法
AA = Active Area, OD = ?
AA是有源区，其实是与器件之间的隔离区相对的。隔离区内不能作器件，因此在做隔离时需要将制作器件的区域保护起来，这块用于保护器件区域的掩模板就是有源区板了。所以硅片上总的来说有两种区域，有源区和隔离区（对于场氧隔离也叫做场区）
恩，同意7楼的
高手们，谢谢了，今天又学到东西了，呵呵！
网上有N多这方面的冬冬，我给你一个
有时间在自己找。
http://www.ee.columbia.edu/~kinget/TOOLS/tutorials/layout.html
AA is Active Area; OD is definition of thin oxide for device, and interconnection.
AA听起来好象是OD，不知道什么地方叫AA?
其实学习版图的基本概念
一定要知道半导体工艺，
就会知道有源区，场氧区，接触孔等立体的
纵向的，各个层次的概念了
最好再解剖几个片子就更好了
tai nanle
9楼讲得很好
路过，看一看
版图的艺术还是很博大精深的啊