两种VCO区别

请问这两种VCO各自的区别都体现在那些方面?比如相位噪声、功耗、震荡幅度， 比较常用的是那个啊? 另外在可变电容仿真的时候仿真的是C-V曲线，扫描可变电容一端的电压，另一端固定，可是在VCO里面由于X，Y两点电压都是随着震荡频率一直变化的，那么可变电容两端的电压不也就随着震荡频率一直变化吗?那么此时计算容值的时候按多大电压计算啊?
另外VCO的功耗是不是包含静态和动态两部分? 在功耗仿真的仿真结果里面对应不同频率出的功耗值如何去理解啊?我们认为VCO的功耗是不是就是频率俄日0Hz的时候的功耗，可是后面那些频率点处的功耗呢? 求指导、、、

建议采用第二种结构

可以简单说说理由吗、、、 第二种震荡幅度的下线要比第一种高啊会不会始终有尾电流那么大的静态功耗啊?

第二种二次谐波要小，但不适合在1.8V或1.2V.
电容可以近似是C+dC,C-dC的串联，变化不大；个人理解实际上电容值是个周期稳态的大信号电容，因此不能用微分电容的观点。
功耗用tran仿真，caculator里rms求

多谢大神指点、另外为啥第二个二次谐波要小啊、这个二次谐波是电路工作在大信号下非线性引起的吗?

尾电流的管子滤波吧应该是！

第一种结构由于没有尾流源，对VDD耦合进来的噪声十分敏感，所以必须另外设计一个LDO以降低相位噪声。但是它的输出摆幅较第二种大，适合于低压设计。另外由于尾流源的1/f噪声会耦合进VCO的LC TANK，第二种的结构的相位噪声会较第一种恶化。很多情况下最好在尾流源和differential pair间加入高阻抗以滤除尾流源的1/f噪声。
总的来说，如果是做LDO+VCO的低压设计，可以考虑用第一种。如果VDD够大，且用高阻抗来滤除尾流源的1/f噪声，那就用第二种吧。