LDO分压网络的问题

应该是短接MOS管的等效电阻会变化大吧，这样会影响稳定性的问题。（个人意见）

不是，电阻并联却居于上面的的电阻了，有别人和我说这样出来的产品的电压波动大，比如设计1.8V，同一批次不同芯片输出确实1.6-2.2波动，我想问的是这个原因是什么，还是设计问题。我仿真MC没啥问题的

求助大神来指导下啊，感觉回答问题的人越来越少，还是我问的太幼稚了

MOS管做分压电阻，这些漏，源极的电压都不相同的，如何保证相同的VGS啊?
如果真要省面积，不怕偏差大的话，1u宽的1k电阻也可以用啊，500k才大约6um*10um面积

电阻分压精确面积么基本可以接受

我也知道电阻准确，可是为啥管子不行呢从理论上来说，我仿真MC结果还是可以的啊，另外问下一般用什么类型的电阻会好一些

背栅效应，用mos做分压会好么?而且只能做一比一的，其他比例怎么做，再者阻抗不好控制，取决于gm，随温度Corner变化大。自己多问几个为什么，这些问题都可以解决

你仿真MC的精度是基于你用的model，你的model准确性怎么样?要是和你mass product出来的东西一致性很好的话，你可以相信你的MC仿真，
还有就是用mos面积上不一定小很多，有源区面积也不小

首先也有用mos分压的。mos和电阻的区别在于，电阻是线性元件，可以产生任意匹配性的分压比例，而mos匹配性的分压比例只能是整数倍分压，比如1/2、1/3之类的，并且还要确保整数倍分压的值满足mos开启电压的要求，所以有一定的限制。

未必不可以用MOS管，这取决于应用要求，比如精度，温度系数等，一定条件下可以互换。

两者都见过，取决于应用环境，mos分压精度低一些