什么情况下pmos管的衬底可与漏极连在一起？

抬高衬底电压可以做工作在亚阈值区的电路，所用的mos管应该是isolated的就是衬底隔离的。
当然前提是你看到的电路不是乱画的而且你没有看错。

如果确定管子是作为开关用的,那么工作状态下源漏的电位是一致的,那么衬底接在源或者漏端就没有任何差别. 特别对于版图来说,根本就无所谓那边是源,那边是漏.

如果源漏电压不一样，且源电压大于漏电压，那么在n阱工艺下，源区和n阱区的pn结就会正偏，这样会有什么影响吗?

没看错，但管子比较特殊，自身有一个寄生体二极管，就像是DMOS管似的。

回4楼:
你说的对,这样是会存在风险.这也是为什么平时我们不会这么用的原因.
但正如你所说,这个应用的环境可能有些特殊,它能够保证这个PN结不会正偏.那么这么用的话有个好处,就是衬偏效应会小,那么管子表现出来的导通电阻会小.