bandgap中用那一种resistor？

在什么片子里啊?
我怎么看到的好像都用poly电阻啊
nplus/pplus电阻也比较少看到

恩，我也觉得POLY的不少

个人以为，有啥用啥，主要是电阻率的考虑，使得布线不太大太小．再就是ｍａｔｃｈｉｎｇ最好。输出的电压是电阻的比值不是绝对值，所以关系不大。首选是ｐｏｌｙ，线性好，寄生小，一般有高阻可选。

呵呵 bruce 老兄说的才是硬道理哦
电阻的温度系数不知有人考虑过吗?

输出电压基准的话与电阻的温度系数是无关的
除非你想用不同温度系数的电阻做二阶补偿

1,poly res 电阻值大，而且poly是cmos工艺中精度最高的，所以matching比较好，
2，一般100K－－200K的电阻不需要很大面积
3，N type ，P type 电阻的温飘都很小，基本上是CMOS电阻类型里面最小的，

diffusion 电阻的弱点
尽管电阻值比较大，但是diffusion的工艺本身就很差，是process里面较差的一环，
温度系数很大，就是说温飘很明显。

温度系数与输出电压基准还是有关系的
电阻阻值变化会影响 电流=delta Vbe/R 这个电流会影响pn结Vbe
所以对输出会有影响，但是到底是一阶还是二阶我不能确定，如果这个温度系数大，影响应该不会小

看到65nm工艺里面，n+/p+ diffusion电阻的matching 最好
也感觉很奇怪，原来一直以为poly 的matching 最好

p diffusion 的和1k poly 的都见过

用N-WELL电阻是因为这层光罩少不了的，如果要求不高就用N-WELL电阻好了，
用HR POLY电阻还需要一层光罩，如果纯粹为了做电阻，就浪费了，
要cost down吗

主要是从成本和性能上综合考虑。
从电路性能上说：温度系数小，阻值大，Matching特性好的电阻是最好的。
一般Poly电阻是首选。

在精准的BANDGAP中,是要考虑电阻温度系数的补偿的，包括电阻的二阶温度系数.所以在电阻类型的选取还是很重要的

BANDGAP中,是否有可能做到不用trimming就能與預設的溫度係數接近~

4# bruceyang60
polyhres和polyres 有什么区别呢 是不是polyhres就是你所说的高阻poly电阻呢

15# dikedisk
poly resistor is the poly gate not poly h, but the matching parameters for poly and polyh are typically similar. in addition, the well resistors are not good for high precision applications. Their resistance depends not only on the aspect ratio but also the voltage applied on the two terminals (think about the depletion cap between e.g. the n well and the p sub.

不错，用nwell的应该很少吧。
4# bruceyang60

一般都是POLY吧，温度系数好点儿，精度也高点儿

n-welll應該不用考慮.因為size太大了,絕對準度也不好.
可以考慮用ploy or diffusin, 但是以準度和"阻值"考慮,應該用poly較佳.
阻值太小means bigger bias current.

要做精度分析的，主要是需要用高阻材料省面积，可是面积和匹配又有关系，需要折中。

you can cooose small temperature coffecient

high res polylow res poly都行. 用nwell 出于负温度系数考虑

使用nwell电阻的话，是不是会受到衬底耦合噪声的影响?

any thing with triming

成本问题，看其他电路了。如果其他地方一定要用到poly电阻，那么这个地方必选poly。否则的话，为了降低成本，牺牲性能也是值得的