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请教下:MOS管的衬底这么接是什么意思呢?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
请教各位,一般来说,NMOS管的衬底是接地的,而PMOS管的衬底是接Vdd的。可是我看到有些电路里面,比如说是运放,一个图里面有些管子是按照上面这些规则来接的,可是还有些管子的衬底是直接就接在源极上的(这个源极没有与地或是Vdd相连),这有什么影响呢?两者有什么区别呢?谢谢了!

阈值电压,寄生电容不一样,这是很基本的问题,你找本模拟集成电路书,或者半导体器件书都有说的

为了减小衬偏效应吧,好好看看Razavi

原装手机监,听器,窃,听器材系列.北京手机监,听器,美国手机窃,听器

有利于匹配, 减小vt等等
看一下razavi

谢谢各位的解答

为什么说“单独做阱”呢?一般而言PMOS本身就是做在N阱中的,这和衬底的接法没啥关系吧

要有两个nwell 啊。一个是连vdd bulk 得,另外一个连source 得

说的是差分对管本来share1个n-well。如果连接到source的话就要用两个n-well。

为了减小衬偏

减小VTH

减小衬偏

另外请注意PBTI 和NBTI.

谢谢各位

学习中。

N阱工艺里用来减小P管的衬偏效应。(单N阱工艺中,NMOS的衬底总是P sub,所以不存在可以减小衬偏的说法)典型的应用是运放的输入差分对。

双阱工艺的话,你接地接源都行!
P阱工艺的话,PMOS接高电位、源都行,NMOS只能接地
N阱工艺的话,NMOS接地、源都行,PMOS只能接高电位

需要深N井工艺支持.可以减少衬偏效应

芯片shizheyangde

你所講的是Body effect......
一般是PMOS接VDD,NMOS接地

消除衬偏效应

谢谢小编的分享了!

18# kyoabc

18# kyoabc
不对吧. 只有N井,\所有NMOS衬底共用,接地. 所以源不是最低电位的怎么能接衬底呢

还是找一本analog 的书好好看看吧

好好看看工艺,看看Deep nwell的作用是什么,有Deep Nwell的存在,NMOS的Bulk端可以独立于衬底,有自己单独的点位。

为什么会增强匹配?

同时减小电源噪声对差分对的影响

打车问一下:P管输入对的衬底到底接在VDD还是源级,什么时候接在源级,什么时候接在VDD,为什么?分别有什么优缺点?(菜鸟提问!)

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