请教N阱P衬底的电容估算

PMOS差分输入对，S/B短接，因为对带宽和失真要求比较严，想估算一下在S点位大概1.2V下N-WELL P-SUB间的电容，不知道用哪个工艺参数计算。或者大概的。18双阱工艺这个电容单位面积估值。多谢各位。

以前抽过一个，面积几十um2的有十多fF。这个不一定做在器件模型里的。

多谢，看来真得画版图提一个了。查了一中午bsim3v3手册一直没找到这个相关的参数。

画了也提不到啊，LVS,PEX模型里头没有就没有。尽量少用这种寄生电容。