关于MOS管源漏区不对称的问题

还有再问一下，我现在版图要画一个电流大概是6mA的MOS管{W/L是10/1，m=40}，除了金属走线需要加宽以外，还需要注意什么呢?比如源漏区需要加宽么?

希望高手们不吝赐教啊！多谢了！

耐高压，6ma的随便layout，又不是6a的

不对称的mos一般是高压的

多谢楼上两位高手的回答。对我帮助很大！

学习了

1),有些MOS管的源漏区不对称，一边比较宽，接触孔离栅极比较远，
常见的情况是在ESD结构和HV非对称管中
2),为什么会做成这个样子呢
ESD结构中,采用这种结构,常常是把D加宽,增加ESD能力
在HV 非对称管中,是工艺耐压限制

非常感谢您的回答，学习了。 8# andyjackcao

想问一下这个不对称的管子在有pdk的情况下要怎么设置，还是自己手动画一个管子的版图呢?

学习了

有PDK的情况，可以调用PCELL。
若是要做特殊目的(ESD)使用，个人认为自己画一个会更好(遵循ESD rule)