大家帮我看下最大电压选择电路，衬底为什么接在漏极，而不是源极？

我自己顶下哈

你这个电路有问题把，如果|Va-Vb|<|Vthp|,管子能工作吗?仿真直流工作点的时候，漏电流给输出的寄生电容充/放电，肯定是一个电路给出的收敛的值。至于你这样接为什么可以得到max（Va Vb），就不清楚了

电路绝对是对的 可以仿真一下 这个是charger里面的一个小电路
还有很多关断电路时用衬底来控制的 这个我搞的很糊涂

可以导通，这个应该好理解，就是在两个电压都差不多的情况下 就是利用diode导通的了

PMOS衬底应该接电路中最高的电位，这里的漏极是最高电位。有一个问题不清楚当Va和Vb相差很小的时候能工作吗?

你这个管子没发现漏极接到了Vmax么?你调用的是漏极耐压高压MOS管吧！ 如果你把管子的源漏换一下也是可以的，连接方式不变这是把源漏调换理解！

symbol中的d/s可以互换的，没有差别，只要bulk电位接正确的电位就可以了

是能工作的，diode管的形式工作，仿真结果也是对的

额。 boost电压效率不高啊，接后级的输出就好了啊

其实高电位就是源极，低电位就是漏极
按照LZ的理解，如果M1和M0的衬底接到所谓的源极，
Vmax肯定不是其中的最大值，
而是两者的一个中间值，比最小值高出约一个Vbe的电压。
因为接低电位的那个MOS 管的寄生二极管导通了

PMOS的衬底接最高电平，既然输出始终是最大的，那当然两个PMOS衬底都接输出了！

小编是在研究电荷泵么，最近好像看到过类似的电路