牛人帮忙LDO问题

给芯片中的一个block供电的LDO，不用片外电容，这种LDO带宽如何设计，低还是高，由于没有片外的大电容LDO的transient特性不好，当load变化时，ripple很大，如何解决。LDO中频的PSR如何优化，有没有什么好办法

电流变化瞬时变化太大，没有片外电容很恼火

这种capless的ldo比较难，ti有几种用nmos做driver的，结构比较好，用pmos做driver很难做，要把带宽做很大，稳定性也难以保证。

capless的LDO我觉得不适合做电流跃变较大的地方，比如无线通信的RFIC中，那家伙跳变老大了。

这也是我一直被困扰的问题，因为所作的LDO是给片内digital circuits供电的，所以瞬时电流也很大，LDO的瞬态性能不好，ripple很大，现在只能在片内尽可能多的放些滤波电容，但是片内的土地金贵啊，不知道有什么好办法

遇到相同的问题，纹波大的接受不了，同求！

看负载吧，基本上100n内.输出0到30ma电压有个200mv的波动。

我最近也做了一个LDO，用在RFIC里面的，做了好久了，用的零极点跟踪补偿，1us内从0跃变到500u的输出跃变幅度大概在70mv左右了。主要是把开环的phase margin留够，呵呵