65nm漏电

听说65nm工艺的MOS漏电很严重?

请问这是何故?

要如何改善?

主要是MOS管的阈值电压低了吧。

不是主要原因，45nm就不怎么漏电

是不是漏电是由于随着工艺下降，栅下面的二氧化硅介质越来越薄的缘故?
不知楼上的依据是什么?是不是用了高K介质，漏电小了?