请问大哥们 帮忙看一下SiGe工艺中 一个项目标准是否太高
时间:10-02
整理:3721RD
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问题一:这个设计标准高么(以前用的是cmos,现在刚改的SiGe工艺应该是双极的,不怎么了解)
工作频率:1.515G
输出功率:<40mW
杂散抑制比:>75dBc
相位噪声:85dBc@100Hz[/email] ,95dBc@1K Hz[/email], 105dBc@10kHz[/email], 115dBc@100kHz[/email]
协调抑制: >30dBc
问题二:现在市场上的晶振频率是多少都有么?还是固定的啊(晶振不是某些东西固定的频率么?但是我在有的网站看到可以定制频率?)
ps:我菜鸟一个,真心的请教各位啊 希望能和大家交流
工作频率:1.515G
输出功率:<40mW
杂散抑制比:>75dBc
相位噪声:85dBc@100Hz[/email] ,95dBc@1K Hz[/email], 105dBc@10kHz[/email], 115dBc@100kHz[/email]
协调抑制: >30dBc
问题二:现在市场上的晶振频率是多少都有么?还是固定的啊(晶振不是某些东西固定的频率么?但是我在有的网站看到可以定制频率?)
ps:我菜鸟一个,真心的请教各位啊 希望能和大家交流
PLL么?
是啊 是pll 标准高么?
用SiGe做pll的还真不多
用SiGe做pll的还真不多