请教一个esd方面的问题
如果不用pip的工艺怎么 办
用MOS电容也可以替代PIP电容
我看到很多文献都是用的mos电容，身边的一些同事也说他们提的电路基本都用的mos电容，其实标准工艺基本都会提供pip或者mim电容的，不知道这其中有何猫腻
我个人认为可以选用其它电容，只是没有做过试验
ESD一般用diode或者diode-connected MOS吧
一般用二极管链接
mos栅电容 存在一个随频率和电压变化的 性能，不知道是否和这个有关系
这个应该不是主要原因. 这个电容的要求不是那么精准的, 同样的电容值,MIM电容的面积会比MOS管电容大很多倍. PIP电容我不是很清除, PIP电容是不是要另外花钱买的?
我想请问一下电阻是采用什么电阻呢?
纯粹的二极管?
没有猫腻，只是个时间常数的延时而已。只要工艺允许，PIP也可以。
9# zhukh
我用的是高阻,对这个电阻的精度要求好象不需要很精确,用高阻比较省面积,但是也看到一些实际的例子是用关闭的倒宽长比mos管,这样做似乎用更小的面积能得到更大的电阻.
rc做什么用的?不是所有工艺都有2 poly的，即使有如果电路没有用到，单独在esd用的话，费用也太高了啊。
一般的ESD不就是一个R+2 diodes?速度触发的话会用到RC，这个C可以是寄生电容。
用 在电源和地之间的箝位上
一般用二极管链接? 一般都用CMOS吧
1。用MOS电容可以节省面积（相同面积下MOS cap约为PIP cap的三倍）。
2。有些工艺里不一定用poly2，如果ESD中用了PIP cap，那在没有poly2的工艺中就不适用了，所以为了增加ESD Cell的通用性，最好是用MOS cap。
3。ESD中的RC delay中首选是Nwell resistor。因为Nwell 电阻是diffusion 电阻，diffusion 电阻本身也具有ESD保护功能。
说的不一定对，欢迎大家批评指正。
1# goat_xdg
这个应该可以用cpip替代吧，我做过一个结构就是用pip电容的。
16# woshixiaocao
you are absolutely right
我认为MOS既可以用作电容，也可以用作电荷释放通路。而PIP只能用作电容。