请教：Vgs should be 30% above the Vth？

一般应该是略大个几百mV比较合适吧，除非是亚阈值区用的

一般好像是150到200mV

thank you very much.
why we choose about 200mV.

Firstly we should keep the transistor in strong inversion region,
Secondly the gain is propotional to the overdrive voltage:
gain==gm*ro==2Id/Vod*(Va0*L/Id)==2Va0*L/Vod
Generally 0.2v overdrive voltage may be used in hign gain ckt,but in high speed ckt design lager overdrive voltage may be choosen,
We must trade off between gain and speed.

还有考虑稳定性吧，工艺的偏差早期在+/-0.1V，现在估计可以控制在+/-20mV以内了
如果VGS和VTH太接近，工作点随工艺的漂移会比较大，大致为 2*（工艺偏差/VDSAT）

这取决于你想让管子工作在哪个区?线形区还是饱和区，etc.不能一概而论。

如果是想让MOS管工作在线性区，同时取得比较好的线性度，VDSAT多大好一些?

如果是单管common souce stage，可以用下面的式子算出boundary。
Vds,sat-Vth=VDD-0.5*Zload*un*Cox*(W/L)*(Vds,sat-Vth).^2
其他情况也要具体问题具体分析，最好plot出Vin vs. Vout的曲线（一般design manual里就有），然后直观的找出直流工作点。

There's no definite answer unless you offer the information of technology, circuit topology, transistor size, VDD, and load.

Values around 0.2V are a good compromise between high transconductance and high current

it i good

为什么要工作在线形区啊?你仅仅要一个压控电阻吗?
要好的线性度，当然是VDSAT越大越好啊

I got it！ Thank you all guys！

I suppose what he means is "saturation region".

在饱和区，200mV左右是一个很好的数值。

同意5楼的看法

100mv足以，特别是1。8V一下设计！

在工艺条件和性能参数能够满足要求的前提下，一般取200~300mV就能保证你的电路在任何CORNER下都不会有问题了。

Paul Gray has answered this question in his book

thanksyou