使用LM3477设计的一个Buck降压电路，输出正常，芯片发烫

如题，原理图如下

设计输入32V，输出27.5V5A

用示波器从Vgs占空比来看，轻载时振荡了，带载1A以上是轻微振荡，但是输出2A以上时主芯片发热很厉害，至少70度以上

满载输出是电压电流也正常，主芯片发烫，但是没有触发芯片的过热保护

这是正常的吗？还是我的原理图有问题？我是参照规格书设计的

谢谢！

亲；Q2是啥型号？过大或老式MOSFET都会导致IC过热。另外；L2取大点；也可以降低IC温度。

mos用的

NXP  PSMN015-60BS

60 V 14.8 m?

QG(tot) total gate charge - 20.9 - nC

QGS gate-source charge   - 6.2 - nC

Ciss input capacitance  - 1220 - pF

Coss output capacitance - 169 - pF

Crss reverse transfer capacitance - 95 - pF

从参数来说性能很好，你说的mos导致过热是说的芯片驱动mos的开关损耗吗？

另外L2取大点可以降低IC温度是什么原理？

亲；对于高频驱动，驱动损耗是相当大的。按每周期（充放各一次）损耗为Wg=QgXVg。驱动损耗功率为：Pg=FXWg

假设驱动电压10V；频率600kHz，那么；这个管子的10V驱动典型驱动损耗：20.9X10^-9X10VX600X10^3＝0.125W   15V驱动损耗：0.22W

1M频率下的典型损耗分别为：0.21W和0.37W

按IC热阻QJA=200C/W,  IC典型温升分别为25C、44C、42C和74C

如果IC紧邻MOSFET，PCB因MOSFET等功率管烘烤，会达到60C，IC会达到85C以上，当然会感觉非常烫。

所以；频率高时的驱动发热是相当利害的。建议用好些的管子，如IRF7479等。加大电感；可以降低开关频率，驱动损耗就会降低，温升就会下降。

我从示波器看Vgs应该是6V以下，LM3477是固定频率500K，驱动损耗应该是0.06W，典型温升应该是12℃

我的PCB背面贴有大面积的散热片，芯片附近PCB温度在50摄氏度左右

芯片温度在70摄氏度以下应该是正常的

另外你说的IRF7479型号是不是不对？搜不到这个管子

LM3477烫的原因可能是被二极管、MOS的功耗把温度带上去的，LM3477本身功耗不大的，不会有太高的温度。

227.5V、5A输出功率很大，建议用同步的BUCK方案，LM25116就可以了。

LM3477烫的原因可能是被二极管、MOS的功耗把温度带上去的，LM3477本身功耗不大的，不会有太高的温度。

227.5V、5A输出功率很大，建议用同步的BUCK方案，LM25116就可以了。

1A时，芯片温度比mos和二极管温度都高，用热成像仪看到的

2A以上mos的发热为主，温度最高

另外目前二极管温度可以接受，先不考虑同步整流

你好，怀疑是输入电压太高产生BIAS 电压的时候压降太大，所以发烫，正常现象，没问题的，与负载电流情况有定关系，但关系不大，谢谢。

你好，另输入电压32V，电压余量太小，请仔细layout，检查SW脚电压，防止CB过压，内部其实不太建议取这样小的电压设计余量，谢谢。

同步buck方案会贵不少

应该是这个问题，谢谢！

请问问题解决了吗？输出电压调整低一点，比如12V还会发烫吗？