占空比对于电源LDO降压芯片和升压芯片影响

我在你们TI论坛上看到，对于电源芯片选型，占空比也是一个重要影响因素，我想请教下占空比对他们到底有何具体的影响？越具体越好啊？谢谢。

开关电源中，占空比 = 开关管开通时间 / 工作周期。

开通和关闭影响了电感能量有存储和释放，从而影响输出电压。占空比的变化范围影响了输出电压的范围。而输出电压的变化范围受到开关管的击穿电压的限制。

对于降压型开关电源，输出电压 = 占空比 χ 输入电压，占空比越大、输出电压越高，当占空比接近100%时即输出电压最大能接近输入电压。

对于升压型开关电源，VOUT=VIN/(1-D)。

开关电源中是不是占空比越大越好？效率越高？MOS管和二极管的损耗也越小啊？

占空比是由你的应用条件决定的。

对开关电路本身，占空比越小越好，占空比越小，效率越高，损耗也小。

以上谢谢！

此外，LDO线性电源是没有占空比这个概念的，LDO整体的应用原则是适合于输入输出电压差比较小，电流输出比较小的场合，此外的特殊情况是在负载对电源纹波有严格要求而对效率特性可以做一些牺牲的应用场合。谢谢！

对降压开关电源也是占空比越小越好，这样效率越高？损耗也越小吗？请问下占空比的瞬态响应有没关系啊》？嵌入式电路电源要求瞬态响应高啊。

降压型开关电源占空比越大，效率越高，损耗越小。

推荐你读 TI 官网的开关电源基础知识（中文）http://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhct203/zhct203.pdf，里面“第二章 效率与 VOUT 的关系”第11页解释了为什么占空比越大效率越高。