TPS40210 24V升到100V MOS管发热严重 请大家指点下

最近在用TPS40210做一个升压的模块， 24V升到100V 电流600ma   上电后测量输出电压正常，上负载后输出仍然是100V，但是MOS管几秒就烫手，原理图是仿真得到的如下，请大家帮忙分析下！万分感谢！MOS管用的 IRFP4668 ，电感120uH 

顶起！

Hi

   建议你参照这个设计，增加MOS驱动器：

   http://www.ti.com.cn/cn/lit/df/slura50/slura50.pdf

  从波形看驱动信号不好，这个不仅仅是减小驱动电阻可以解决的。

您好

  这个问题从驱动的波形上看来 TPS40210的驱动能力不够的问题

首先TPS40210的驱动能力有400mA, 建议你将驱动电阻R4减小 变为1ohm试一下

如果还是不行 

因为 你选用的管子 Qg=161nF 建议选用一个较小的Qg管子 

同时我看到 您选择的 IRFP4668 最电流有130A， 不是很合适你这个电路 因为你需要600mA

希望能够解决您的问题

看波形应该是驱动能力不够导致MOS无法正常快速开启，造成导通损耗剧增，引起发热。

尝试将MOS栅极电阻移除或改为1ohm，看是驱动波形是否正常（类似PWM波）。但是栅极电阻改小之后可能会引起SW节点（电感和MOS接点）有很大的震荡电压，从而击穿MOS管，所以这里需要一个平衡，既保证MOS正常动作，且SW节点的震荡电压峰值在MOS管可接受范围内。

当然也可以参考上贴的意见加MOS驱动电路。

您的意思是我别的电路可以不改变就是增加下MOS管的驱动电路吗？

好的！谢谢您的意见我改变电阻试一下，这个MOS管的Q值确实有点高。

从目前的情况看，其他波形都挺正常的。只有驱动波形不正常。先修改一下，看结果如何，再下一步分析

好的，谢谢您的指点我回头试一下，看来还是MOS管驱动能力不够的原因导致的。

好的 谢谢指点！

频率什么的跟仿真基本是一样的。

Hi

   我提供的电路和你的参数接近， 按照你的电路是需要增加MOS驱动器的，这个芯片驱动力不强。

   选择小Qg的MOS，还有一个目的，减小驱动功耗，是被建议的。

Hi

建议选择Qg较小的管子，也可以尝试降低工作频率，进一步降低开关损耗。

谢谢！

谢谢各位大侠的指点！目前电阻更改为1R  MOS管换为IRF530(耐压100V Q值26因为手头就有这个管子)后波形正常了 也不怎么发热了五六分钟有20多度的样子。

谢谢！目前电阻改为1R  mos管选个Q值小的 波形正常了！

谢谢！目前电阻改为1R  mos管选个Q值小的 波形正常了！要是降低频率的话估计发热还要小 呵呵~

由于你要升压到100V，会在开关节点上有较大的震荡电压，容易击穿100V耐压的管子，建议换一个耐压高一点的，留有一定的裕量。

对对 是这样  不过目前着急调试手头就有这一个  呵呵 效果还不错！

对对！目前手头就有这个，所以先试试，

目前电阻改为1R  mos管选个Q值小的 波形正常了！您可以看下上贴，如果降低些频率  发热应该还会更小点把~

就你目前换了管子之后的发热情况来看，是正常的。如果你想降低频率，发热的确会进一步减小，但这需要你修改电路参数，因为不同频率对应的参数是不一样的

嗯 对对！这个是要改下元件参数。