CSD18543Q3A及相关mos管的应用

Hi:

   我们使用TPS40170输出5.5V，6A的电流，mos管选用了CSD18543Q3A和CSD18531Q5A，但是在实际测试中，发现mos管的温度过高。达到了90°左右，希望通过并联mos管的方式降低mos管的电流，进而降低mos管的温度，此方案是否可行？有没有需要注意的地方？

有时候，MOS管发热并不一定是有RDS，也有可能是开关损耗造成的。如果是这样的话，冰凉MOS管不见得会降低损耗，反而有可能会增加。

HI

    你可以借助TI的webench仿真确认MOS的温度。（这个软件很强大，输入参数即可得到电路以及电路的参数，包括效率，温升(温度):

     不明确你的具体参数，但是我也仿真了一下，不应该会有90°C这么高。影响MOS温度高的因素很多，例如RDson, Qg, 频率，散热面积。

     RDson, Qg, 尽量低， 频率不宜太高，这类转换频率一般建议在300~500kHz，甚至可以适当降低到200kHz以上。

     散热面积对热阻影响很大，见下图： 

Hi

   才6A, 无需并联2个MOS 增加成本。 可围绕上述四点降低MOS温度（包括选Rdon,Qg,热阻尽量小的MOS)

那么如何确认开关的损耗比较大。

RDson, Qg, 频率，散热面积，这四点：

频率可以控制，我们目前使用的开关频率是

，我们的mos管D级的表层的铜箔面积是15mm*5.6mm,内层的铜箔也比较大，使用了比较多的国控。

RDson，Qg需要如何调整到最佳的状态？

RDson, Qg, 频率，散热面积，这四点：

频率可以控制，我们目前使用的开关频率是

，我们的mos管D级的表层的铜箔面积是15mm*5.6mm,内层的铜箔也比较大，使用了比较多的过孔。

RDson，Qg需要如何调整到最佳的状态？

我使用的是TI推荐的csd18543,期RDson仅为0.016O，已经很小了。

然后电路板的面积比较小，不可能做到比较大的铺地。

仿真的结果是77°，实测的结果是90°。

你好，你们是否在MOS的栅极放置了一个小电阻，如果有，可以适当减小电阻值来降低开关损耗。

也可以适当降低一点频率来降低损耗.

Qg是由MOS本身决定，无法通过外部去减小