BQ24171 EMI问题

Hello，我们使用BQ24171作为电池充电管理IC做一个简单的充电产品（对可拆卸电池充电，充电电流2A左右），发现产品EMI超标很严重，请问有什么好的办法能降下来吗？谢谢！

• EMI主要来源于开关节点处，建议检查一下layout，

注意SW节点布局，可加入snubber电路进行改善

Hello Vental,

原理图和Layout如附件，个人认为SW节点布局还可以，回路也比较小。还请帮检查下看？另外，snubber电路可否给点建议？谢谢！

从你的文档上看，SW节点布局还可以，那就尝试加个snubber电路（见附件）。

另外方便上传一下SW节点和输入电压的波形么。其中输入电压为AC耦合，20mV/div

谢谢

Hello Vental,

    谢谢！我一会量下波形，另外你提供的snubber参考电路，里面有提供内置MOS的Cp等参数，我看TI的BQ24171datesheet里面没有提到，请问有相关的参数信息吗？或者有合适的RC值推荐。感谢！

Hello Vental,

波形如下图，请参考！谢谢！

你好，从你的SW波形上看，振铃处的频率大约在125MHz（8ns），和你EMI测试结果很接近，估计很有可能就是此处的高频谐波造成的。

对于snubber电路，在我给你文档中Choose the values of RC snubber这部分章节有详细说明，先不接器件了测试周期，再接电容测试周期，可以推出内部寄生容值，再推出寄生感值，最后得到谐振阻抗。

你可以先尝试R=2ohm，C=2000pF，如果效果很不理想，在进行推算。

最后，关于你的输入纹波， 建议每格幅值再大一点，时间轴小一些，观察其频率和幅值，注意测量时采用最小环路。详见附件。

Hello Vental，

   感谢您的耐心帮助，谢谢！我试了下加上RC后还是有效果的，（R=2.5R，C=1nF,），后面会去实验室测试下。附上前后比较的图片给到你参考下。

好的， 不过还是建议你测量一下输入电压波形，因为EMI问题不仅由芯片电路产生，同时还有可能受外部电源影响。

Hello Vental,

昨天到实验室测试了下，现在水平方向能过了，垂直方向前端还是超了一些。

建议测量一下输入电压纹波，看看是不是输入也带来了部分噪声

Hi Vental,

有测的。如下图，现在看前面超的都是1.6M的倍频，刚好是BQ24171 PWM的频率。

不要设置20M带宽，改为全带宽，同时减小示波器表笔的环路，将时间轴缩小（现在的4ms每格太大了）， 幅度也再放大一点。

如果频率和你测出来的频率接近，就在前段加入LC滤波，具体如附件

Hi Vental,

    请问图中的肖特基二极管是必须要的吗？因为看有的参考设计有，有的又没有，比如BQ24133的参考设计就没有这个二极管。谢谢！

可以不加。 因为芯片内部已经有Low-side Mos，加肖特基二极管的原因是因为它的导通压降小于内部MOS管的体二极管压降，这样可以降低功率损耗，提高效率。