LM5117设计问题咨询

1.LM5117的Datasheet上对使用外部VCC电源时要求在输出电压大于14.5V时需串接一个齐纳二极管，请问这个齐纳管的齐纳电压选择要求是什么？

2.LM5117的Datasheet上对Pin2（TSSOP）的介绍如下：可选逻辑输入可以在低态时启用二极管仿真。在二极管仿真模式下，在检测到反向电流流过 (电流从输出到地流经低边 NMOS) 后，低边 NMOS 在 PWM 周期的其余部分被锁断。当 DEMB 为高电平时，二极管仿真被禁用，从而允许电流在任一方向流过低边 NMOS。如果该引脚浮置，LM5117 内部的50 kΩ 下拉电阻可保持 DEMB 引脚为低电平，并启用二极管仿真。

这个管脚能否通过外部控制使LM5117在二极管仿真模式的开启和关断状态间进行切换，从而实现高负载下有较高的效率，低负载下低损耗的功能？

3.应该怎样选择合适的开关频率，以便达到器件尺寸和损耗之间的折中？

查看资料没看到关于Vcc的特殊这处，猜测估计是Vcc内部有15V限压，或驱动输出有15V限压，为担心外部供电过大烧坏，所以要求外加一个齐纳二极管，也就是稳压管。

你好，关于齐纳二极管是当输入电压较高时，使用Vout来给VCC供电可以降低芯片待机功耗，至于齐纳二极管电压要求，输出电压减去VCC电压（可以设计12V）减去串联电阻压降（可用用串联电阻*芯片需求电流）减去二极管压降，最终得到齐纳管的电压。这几个参数可以综合修改，注意点就是不要使VCC电压超过14.5V（该管脚最大15V）。

关于第二个问题，我认为想切换二极管仿真模式是可以的，但是高负载希望有高效率与diode emulation mode 关系不大，FPWMmode 的动态特性会相对好些，所以你只是为了效率的话可以设计在diode emulation mode.

你好，关于第三个问题就仁者见仁智者见智了，应该是你来定，根据你的应用，你如果注重功率密度，频率高些，如果注重效率频率低些。当然也有些应用，如automotive，应该避开AM频率范围。多少算合适，说不清楚，一般应用你可以考虑200k-300khz，谢谢。

从diode和mosfet导通参数看，diode通常有0.3V左右的压降，这时候负载较大的话在diode上的功率损失也比较大，而mosfet导通电阻通常在毫欧级别，同样的导通电流下的热功耗应该会比diode下小才对，不知道我的理解对不对？还是说要看负载电流是否大到加在mosfe上的的导通压降大于Diode的导通压降了？

这个问题的主要原因是由于从前常用的DC-DC大部分都是开关频率确定的类型，可以认为开关频率这个参数和纹波电流系数一样是个前置参数，因此通常感觉这个参数的选择更多是经验参数，而缺少定量的计算而不好把握，所以不知道有没有可以量化的确定方法

你好，当电流大于0的时候两种模式都是电流走mosfet沟道，区别是当电流反向时，FPWM还是走MOSFET反向沟道，而diode emulation 开关管关断，工作在DCM模式，谢谢。

请问把频率设置在100k会有问题吗？

LM5117一般在200-300ＫＨＺ范围内，如果在１００ＫＨＺ，应该不会出现太大的问题，我建议你在芯片建议的范围内设置。

谢谢

那请问这个芯片在输出5V的情况下可以不使用外部电源吗？我的电源在输入17、18V的时候就会没有输出，而且上管驱动会有占空比丢失情况。谢谢！

想咨询一下为什么LM5117不正常工作的问题，有输出电压但没有带负载能力，这是怎么回事

一样 你的弄得咋样了 我的5V带上负载 最多调到2A左右就不行了 电压也达不到5V了